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请教关于PL峰拟合的问题 已有1人参与
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我是做氮化镓材料的，在文献中，多数是用高斯线型拟合PL谱峰，而用洛伦兹线型拟合的非常少；我的粗浅的认识是：在半导体材料中，高斯线型对应的是激子或其他偶极子的多普勒展宽，而洛伦兹对应的是自然展宽和碰撞（散射）展宽。 1.在光激发的半导体中，特别是低温下，速度分布导致的多普勒展宽应该不是主要展宽机制，为什么文献中多采用对应的高斯线型，是否还有其他意义？ 2.在半导体中，如果考虑混合展宽，去做精细的拟合，可否用简单pseudo-voigt function去拟合，还是必须得用卷积形式的voigt线型函数？ |
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