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【求助】关于teos
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| 使用P-TEOS-CVD方法，温度是300度，这种条件下沉积在试件表面的是TEOS还是SiO2？如果是SiO2,和硅片直接氧化得到的SiO2性质是否相同？ |
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3楼2008-08-09 14:02:07
happyguo
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4楼2008-08-10 19:16:23
tingyee
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5楼2008-08-11 15:11:48