24小时热门版块排行榜    

查看: 669  |  回复: 4
当前主题已经存档。

suntht

木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于teos

使用P-TEOS-CVD方法,温度是300度,这种条件下沉积在试件表面的是TEOS还是SiO2?如果是SiO2,和硅片直接氧化得到的SiO2性质是否相同?
回复此楼
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

happyguo

木虫 (小有名气)


SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流,暑假快乐
明确告诉你是TEOS
2楼2008-08-08 16:32:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

suntht

木虫 (小有名气)

TEOS的熔点是-77度,在试件上镀膜后,TEOS在室温下是以什么状态存在的?还有,TEOS受热会分解,分解温度是多少度?
3楼2008-08-09 14:02:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stardom427

木虫 (著名写手)


SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流
室温是液态。。。
TEOS受热分解温度好象要700多度
4楼2008-08-10 19:16:23
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

tingyee

金虫 (小有名气)

★ ★
SHY31(金币+2,VIP+0):谢谢交流,暑假快乐
测个红外看看不就行了吗?热氧化硅致密,介电常数3.9,肯定比各种沉积方法得到的二氧化硅质量好,所以一般在tft做制中是用热氧化的。但是teos制备二氧化硅也有它自己的优势,很重要的一点那就是台阶性很好。这在mems里面有应用。
teos或者其他有机反应源制得的严格讲不是二氧化硅了,里面有碳,他在薄膜中的结合形式也有好多中。就要看你因什么目的而制备了。我觉得
5楼2008-08-11 15:11:48
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 suntht 的主题更新
普通表情 高级回复 (可上传附件)
信息提示
请填处理意见