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利用磁控溅射在二氧化硅表面沉积金电极的问题 已有2人参与
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各位虫友们大家好，在下最近正在进行传感器制作的相关实验，遇到了以下问题，劳烦各位虫友给指点迷经，非常感谢！ 我的实验过程是：一次光刻,IBE,二次光刻，沉积金电极，关键在于金电极要沉积在二氧化硅表面，两者的粘附性很差，剥离过后金马上就掉没。所以尝试用Ti作过渡层，30nm左右，结果粘附性依然不乐观，剥离虽然不掉但却经不起焊接，焊接时电极会掉落。 请问大家是否遇到过此类情况，或者有什么好的建议吗？听说用Cr作过渡层好一些？那过渡层的厚度多少合适呢？磁控溅射时沉积温度和压力多少合适呢？（我常温，1.4Pa，80w） 再次感谢！ |
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 薄膜制备与特性 |
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3楼2015-08-19 21:31:03
perry_ping 
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2楼2015-07-28 13:38:04
perry_ping
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4楼2016-02-26 09:44:09