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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 科研生活 » 利用磁控溅射在二氧化硅表面沉积金电极的问题
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yangnannoo1

新虫 (初入文坛)

[求助] 利用磁控溅射在二氧化硅表面沉积金电极的问题 已有2人参与

各位虫友们大家好，在下最近正在进行传感器制作的相关实验，遇到了以下问题，劳烦各位虫友给指点迷经，非常感谢！
我的实验过程是：一次光刻,IBE,二次光刻，沉积金电极，关键在于金电极要沉积在二氧化硅表面，两者的粘附性很差，剥离过后金马上就掉没。所以尝试用Ti作过渡层，30nm左右，结果粘附性依然不乐观，剥离虽然不掉但却经不起焊接，焊接时电极会掉落。
请问大家是否遇到过此类情况，或者有什么好的建议吗？听说用Cr作过渡层好一些？那过渡层的厚度多少合适呢？磁控溅射时沉积温度和压力多少合适呢？（我常温，1.4Pa，80w）
再次感谢！
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1楼 2015-07-15 21:40:27
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perry_ping

新虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

过渡层一般为1/3就行，我觉得是你的溅射条件有问题，金层一般几千埃做电极就可以了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2楼2015-07-28 13:38:04
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wuguisi

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

钛层有点薄了吧，我一般要溅射到100nm.，100℃加热溅射的
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3楼2015-08-19 21:31:03
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perry_ping

新虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

真空度也会影响镀层的牢固性。
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4楼2016-02-26 09:44:09
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