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利用磁控溅射在二氧化硅表面沉积金电极的问题 已有2人参与
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各位虫友们大家好,在下最近正在进行传感器制作的相关实验,遇到了以下问题,劳烦各位虫友给指点迷经,非常感谢! 我的实验过程是:一次光刻,IBE,二次光刻,沉积金电极,关键在于金电极要沉积在二氧化硅表面,两者的粘附性很差,剥离过后金马上就掉没。所以尝试用Ti作过渡层,30nm左右,结果粘附性依然不乐观,剥离虽然不掉但却经不起焊接,焊接时电极会掉落。 请问大家是否遇到过此类情况,或者有什么好的建议吗?听说用Cr作过渡层好一些?那过渡层的厚度多少合适呢?磁控溅射时沉积温度和压力多少合适呢?(我常温,1.4Pa,80w) 再次感谢! |
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perry_ping
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