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yangnannoo1

新虫 (初入文坛)

[求助] 利用磁控溅射在二氧化硅表面沉积金电极的问题 已有2人参与

各位虫友们大家好,在下最近正在进行传感器制作的相关实验,遇到了以下问题,劳烦各位虫友给指点迷经,非常感谢!
我的实验过程是:一次光刻,IBE,二次光刻,沉积金电极,关键在于金电极要沉积在二氧化硅表面,两者的粘附性很差,剥离过后金马上就掉没。所以尝试用Ti作过渡层,30nm左右,结果粘附性依然不乐观,剥离虽然不掉但却经不起焊接,焊接时电极会掉落。
请问大家是否遇到过此类情况,或者有什么好的建议吗?听说用Cr作过渡层好一些?那过渡层的厚度多少合适呢?磁控溅射时沉积温度和压力多少合适呢?(我常温,1.4Pa,80w)
再次感谢!
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perry_ping

新虫 (职业作家)


【答案】应助回帖

过渡层一般为1/3就行,我觉得是你的溅射条件有问题,金层一般几千埃做电极就可以了。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
2楼2015-07-28 13:38:04
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wuguisi

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

钛层有点薄了吧,我一般要溅射到100nm.,100℃加热溅射的
3楼2015-08-19 21:31:03
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perry_ping

新虫 (职业作家)


【答案】应助回帖

真空度也会影响镀层的牢固性。
4楼2016-02-26 09:44:09
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