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seawindzjr新虫 (初入文坛)
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[交流]
求助，High-K和Low-K的工艺问题
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各位大神好，我正在准备一个关于High-K材料的presentation，但是能找到的都是些比较旧的材料比如BaTiO3之类 比较新的材料像HfO2，TiO2只有很多的特性研究，缺陷研究，以及应用研究，却找不到如何制备的资料，这里http://www.chinesevacuum.com/seconds/xuehui/content.asp?id=133，虽然然TiO2膜的多种制备方法，但是没有给出优缺点，更没有提到工业目前使用的主要是那些方法 请问各位大神知道High-K和Low-K最新的制作工艺主要是用什么工艺么？PVE？ECD？我看last Gate工艺流程的提到的离子注入用的具体又是什么方法？为什么由于离子注入，first Gate工艺流程中的Gate contact会受到加热，从而影响性能？另外我记得好像一两年前High-K和Low-K还是不能做到一个芯片里的，虽然把他们一起运用理论上会得到更好的性能，但是我想不起当时看到的说的究竟是什么原因导致他们不能做到一起了，有大神知道么？另外这它们现在可以做到一起了么？能的话是因为有什么工艺上的突破么？ 另外intel的网页我也去看了，他们有提他们的High-K已经能做到DK值多少，但是一字不提制备 求大神推荐一些有介绍最新High-K材料制备的网站或者论文，或者公司或者研究所也可以，我试着发邮件过去咨询 万分感谢，实在不想拿些古董级资料做presentation，希望能找到尽量新的资讯 [ Last edited by seawindzjr on 2015-7-6 at 20:13 ] |
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