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Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件关态电流过大
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Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件,关态电流达到60mA/mm,亚阈值斜率达到1000+,栅介质层采用SiN-5nm(分别尝试介电常数从7变到25,栅介质厚度减小到2nm,关态电流基本还在几十mA/mm的量级)。 在不加栅介质的情况下(AlGaN/GaN HEMT),Ioff(<1mA/mm)是可以达到要求的。 急求高手指导!!!不胜感激! |
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6楼2016-01-17 10:30:22
fyl1989
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2楼2015-05-22 09:50:33
3楼2015-05-25 15:24:04
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4楼2015-05-26 08:37:36














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