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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 仿真模拟 » 其他 » Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件关态电流过大
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dream甜心儿

新虫 (初入文坛)

[求助] Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件关态电流过大

Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件，关态电流达到60mA/mm，亚阈值斜率达到1000+，栅介质层采用SiN-5nm（分别尝试介电常数从7变到25，栅介质厚度减小到2nm，关态电流基本还在几十mA/mm的量级）。
在不加栅介质的情况下（AlGaN/GaN HEMT），Ioff（<1mA/mm）是可以达到要求的。
急求高手指导！！！不胜感激！
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1楼 2015-05-12 10:26:10
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fyl1989

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by dream甜心儿 at 2015-05-25 15:24:04
单位栅宽下的电流。这样才有可比性...

但是我在大部分文章里见到的单位都只是μA、mA等，有没有用哪种单位更好这种说法呢？
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4楼2015-05-26 08:37:36
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fyl1989

金虫 (正式写手)
楼主，有个问题想请教你，为什么你的电流单位用的也是mA/mm，今天看一篇文献里源漏电流单位也用的mA/mm，这个和直接的mA有什么区别呢？
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2楼2015-05-22 09:50:33
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dream甜心儿

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by fyl1989 at 2015-05-22 09:50:33
楼主，有个问题想请教你，为什么你的电流单位用的也是mA/mm，今天看一篇文献里源漏电流单位也用的mA/mm，这个和直接的mA有什么区别呢？

单位栅宽下的电流。这样才有可比性
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3楼2015-05-25 15:24:04
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dream甜心儿

新虫 (初入文坛)
我看到的大多是mA/mm，栅宽越大，电流越大，所以单位栅宽电流更能说明器件本身特性
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5楼2015-10-01 21:59:14
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