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Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件关态电流过大
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Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件，关态电流达到60mA/mm，亚阈值斜率达到1000+，栅介质层采用SiN-5nm（分别尝试介电常数从7变到25，栅介质厚度减小到2nm，关态电流基本还在几十mA/mm的量级）。 在不加栅介质的情况下（AlGaN/GaN HEMT），Ioff（<1mA/mm）是可以达到要求的。 急求高手指导！！！不胜感激！ |
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fyl1989
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2楼2015-05-22 09:50:33
fyl1989
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4楼2015-05-26 08:37:36
5楼2015-10-01 21:59:14
