| 查看: 1466 | 回复: 6 | ||
[求助]
Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件关态电流过大
|
|
Silvaco-Atlas 仿AlGaN/GaN MIS HEMT器件，关态电流达到60mA/mm，亚阈值斜率达到1000+，栅介质层采用SiN-5nm（分别尝试介电常数从7变到25，栅介质厚度减小到2nm，关态电流基本还在几十mA/mm的量级）。 在不加栅介质的情况下（AlGaN/GaN HEMT），Ioff（<1mA/mm）是可以达到要求的。 急求高手指导！！！不胜感激！ |
回复此楼» 猜你喜欢
化学求调剂
已经有5人回复
-
一志愿中国石油大学（华东） 本科齐鲁工业大学
已经有3人回复
-
332求调剂
已经有4人回复
-
265求调剂
已经有9人回复
-
328求调剂，英语六级551，有科研经历
已经有8人回复
-
求调剂
已经有3人回复
-
278求调剂
已经有6人回复
-
307求调剂
已经有10人回复
-
279分求调剂 一志愿211
已经有12人回复
-
297求调剂
已经有9人回复
fyl1989
金虫 (正式写手)
- 应助: 3 (幼儿园)
- 金币: 1194.1
- 散金: 26
- 红花: 10
- 帖子: 507
- 在线: 151.1小时
- 虫号: 2245000
- 注册: 2013-01-16
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
2楼2015-05-22 09:50:33
3楼2015-05-25 15:24:04
fyl1989
金虫 (正式写手)
- 应助: 3 (幼儿园)
- 金币: 1194.1
- 散金: 26
- 红花: 10
- 帖子: 507
- 在线: 151.1小时
- 虫号: 2245000
- 注册: 2013-01-16
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
4楼2015-05-26 08:37:36
5楼2015-10-01 21:59:14
6楼2016-01-17 10:30:22
7楼2016-06-15 16:47:07
40