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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » CVD制备二硫化钼为什么选择SiO2/Si为衬底？
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chayfei

金虫 (正式写手)

[求助] CVD制备二硫化钼为什么选择SiO2/Si为衬底？ 已有2人参与

最近在用CVD制备单层的MoS2，但是一直结果不理想，还有一个困惑是为什么都是用SiO2/Si为衬底，而不是直接用Si为衬底呢？
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1楼 2015-04-24 05:35:20
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yueelan

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
便于显微镜下观察单原子层样品
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就算整个世界都被寂寞绑票我也不会逃跑
2楼2015-04-24 08:37:56
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鹅毛大雨

金虫 (文学泰斗)
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
内容已删除
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3楼2015-06-05 16:54:33
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aqing_asus

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

二硫化钼是半导体材料，对于半导体材料而言，最重要的性能就是电学性质，简单来说就是制备出器件，通过测试器件的转移曲线等得到其电学性能就是一般化的思路。制备器件需要在衬底上提供一层绝缘体介电层材料，SiO2正好起到这个作用。之所以选择SiO2而不选择其他的介电层材料是因为，在Si上氧化生成SiO2会远远比生长或者转移其他材料容易得多。具体的专业知识可以参考《半导体物理与器件》。
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4楼2016-05-13 10:55:40
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chemistry00

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yueelan at 2015-04-24 08:37:56
便于显微镜下观察单原子层样品

您好 麻烦问一下 在显微镜下怎么看出是单层
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5楼2018-03-07 09:58:48
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