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gloomygirl-1

木虫 (小有名气)

[求助] SiO2材料在600度高温煅烧5h后,FTIR光谱中仍然有羟基OH的峰,为什么? 已有2人参与

用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)合成一种SiO2材料后,进行表征,600度高温煅烧5h后,红外光谱中仍然有羟基OH 和巯基SH 的峰,怎么解释?
这两个基团一定会被煅烧掉吗?十分感谢各位!
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帅气的路哥

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
gloomygirl-1: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-04-10 09:32:51
这个3500可能是水的OH峰,在空气中吸附了水导致的。你可以看看960左右的硅羟基的峰,硫基的话你做个热重,再做红外,看看到900后能烧掉不。
静以修身,俭以养德。
5楼2015-04-10 09:09:18
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wws19851024

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
gloomygirl-1: 金币+5 2015-04-09 22:19:28
只要你在空气中测,都会有羟基峰的,空气中有水蒸气。。。
2楼2015-04-09 15:54:01
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gloomygirl-1

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wws19851024 at 2015-04-09 15:54:01
只要你在空气中测,都会有羟基峰的,空气中有水蒸气。。。

你好,我的羟基峰出现在3500cm-1左右,这能说明是由于水蒸汽在表面形成的吗?水蒸汽能够和表面的Si形成Si-OH键吗?
3楼2015-04-09 22:21:59
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wws19851024

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

3500左右就是表面吸附水的-0H伸缩振动峰,不会和表面的硅成键的。。。
4楼2015-04-09 23:39:43
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