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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » SiO2材料在600度高温煅烧5h后，FTIR光谱中仍然有羟基OH的峰，为什么？
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gloomygirl-1

木虫 (小有名气)

[求助] SiO2材料在600度高温煅烧5h后，FTIR光谱中仍然有羟基OH的峰，为什么？ 已有2人参与

用3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)合成一种SiO2材料后，进行表征，600度高温煅烧5h后，红外光谱中仍然有羟基OH 和巯基SH 的峰，怎么解释?
这两个基团一定会被煅烧掉吗？十分感谢各位！
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1楼 2015-04-09 15:12:53
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wws19851024

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

3500左右就是表面吸附水的-0H伸缩振动峰，不会和表面的硅成键的。。。
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4楼2015-04-09 23:39:43
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wws19851024

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
gloomygirl-1: 金币+5 2015-04-09 22:19:28
只要你在空气中测，都会有羟基峰的，空气中有水蒸气。。。
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2楼2015-04-09 15:54:01
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gloomygirl-1

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wws19851024 at 2015-04-09 15:54:01
只要你在空气中测，都会有羟基峰的，空气中有水蒸气。。。

你好，我的羟基峰出现在3500cm-1左右，这能说明是由于水蒸汽在表面形成的吗？水蒸汽能够和表面的Si形成Si-OH键吗？
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3楼2015-04-09 22:21:59
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帅气的路哥

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
gloomygirl-1: 金币+5, ★★★很有帮助 2015-04-10 09:32:51
这个3500可能是水的OH峰，在空气中吸附了水导致的。你可以看看960左右的硅羟基的峰，硫基的话你做个热重，再做红外，看看到900后能烧掉不。
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静以修身，俭以养德。
5楼2015-04-10 09:09:18
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