| 查看: 613 | 回复: 2 | |||
[求助]
能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
|
|
请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
回复此楼» 猜你喜欢
求博导收留
已经有5人回复
-
意大利米兰理工大学急聘CSC公派留学博士生（物理或无机材料科学方向）
已经有45人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有177人回复
-
求加氢处理工艺与工程（第二版）pdf 李大东 中国石化出版社 9787511436689
已经有0人回复
-
新加坡ASTAR招收CSC或学校资助联培博士生/访问学生
已经有1人回复
-
CSC & MSCA 博洛尼亚大学能源材料课题组博士/博士后招生｜MSCA经费充足、排名优
已经有0人回复
-
求助Amsterdam Density Functional
已经有2人回复
-
武汉纺织大学全国重点实验室陈嵘教授团队招收2026级学术/专业型硕士研究生
已经有0人回复
-
德国Karlsruhe Institute of Technology招收电化学储能及联合培养CSC博士
已经有1人回复
-
德国Karlsruhe Institute of Technology招收电化学储能及联合培养CSC博士
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2015-04-09 10:48:52
jianying8996
木虫 (著名写手)
科学社会主义人道救援幸福组织
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 4272.5
- 散金: 909
- 红花: 6
- 帖子: 1250
- 在线: 537.4小时
- 虫号: 627974
- 注册: 2008-10-16
- 性别: GG
- 专业: 电化学
3楼2018-03-14 11:18:38