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能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
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请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
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jianying8996
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