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能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
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请教高手: 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验,采用红外光谱检测,出现了新的红外峰,可能有弱Si-O键的存在,能否用高斯计算来证明这一点? 如何证明?我的初步想法是:构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型,采用高斯对其结构进行优化,然后算频率,得到红外吸收光谱,不知是否可行? |
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jianying8996
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