| 查看: 627 | 回复: 2 | ||
[求助]
能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
|
|
请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
回复此楼» 猜你喜欢
东方理-中科大联合博士生招聘
已经有0人回复
-
半透性容器进行高湿或者低湿研究
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有52人回复
-
钴酸锂半电池小倍率容量上不去
已经有1人回复
-
吉林大学材料物理本科生求问调剂信息
已经有24人回复
-
2026第二届光电子与半导体器件前沿技术研讨会——光电子赋能·半导体创芯！
已经有1人回复
-
光电子赋能·半导体创芯！
已经有1人回复
-
光电子赋能·半导体创芯！
已经有0人回复
-
QE计算电声耦合的时候报错Error in routine lambda (100)wrong or too many modes
已经有2人回复
-
cif求助下载
已经有1人回复
-
高效微纳米储能材料与产业化推进实验室 苏州 招收硕士研究生（含调剂）
已经有2人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2015-04-09 10:48:52
jianying8996
木虫 (著名写手)
科学社会主义人道救援幸福组织
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 4272.5
- 散金: 909
- 红花: 6
- 帖子: 1250
- 在线: 537.4小时
- 虫号: 627974
- 注册: 2008-10-16
- 性别: GG
- 专业: 电化学
3楼2018-03-14 11:18:38
