| 查看: 753 | 回复: 2 | ||
[求助]
能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
|
|
请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
回复此楼» 猜你喜欢
中国电机工程学报的投稿系统
已经有0人回复
-
招收博士一名-宁波大学
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有227人回复
-
厦门大学侯旭团队招聘青年教师、博士后及博硕士研究生
已经有2人回复
-
哈工大深圳 表界面物理化学方向（胶体与界面，光谱探测研究） 博士招生
已经有0人回复
-
元素硫的化合价和氧化态
已经有1人回复
-
江苏科技大学2026年招聘启事
已经有1人回复
-
International Journal of Nanoscience属于中科院4区吗？
已经有0人回复
-
澳大利亚南昆士兰大学量子点课题组招收博士生
已经有0人回复
-
香港中文大学（深圳）2026年招聘公告
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2015-04-09 10:48:52
jianying8996
木虫 (著名写手)
科学社会主义人道救援幸福组织
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 4257.5
- 散金: 909
- 红花: 6
- 帖子: 1251
- 在线: 537.6小时
- 虫号: 627974
- 注册: 2008-10-16
- 性别: GG
- 专业: 电化学
3楼2018-03-14 11:18:38
40