| 查看: 723 | 回复: 2 | ||
[求助]
能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
|
|
请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
回复此楼» 猜你喜欢
南方科技大学物理系周院院教授2026年博士后招聘
已经有1人回复
-
上海交通大学陈向洋计算化学课题组诚聘2027级博士研究生
已经有8人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有69人回复
-
26年博士申请自荐-电催化
已经有14人回复
-
博士生急招！哈尔滨工业大学（深圳）绿色化学团队招聘26秋和27年入学的博士生
已经有8人回复
-
安徽大学物质科学与信息技术研究院罗其全教授组2026年化学博士招生（计算催化组）
已经有1人回复
-
现招2026北京航空航天大学联培博士1名（北航学位）-材料AI方向
已经有3人回复
-
普瓦捷环境与材料化学研究所 (IC2MP)博后招聘
已经有0人回复
-
香港科技大学(广州)方超课题组招聘全奖博士
已经有0人回复
-
宁夏大学化学工程与技术专业招收博士研究生
已经有1人回复
-
南京大学软物质计算模拟方向硕博连读/直博生招生
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2015-04-09 10:48:52
jianying8996
木虫 (著名写手)
科学社会主义人道救援幸福组织
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 4252.5
- 散金: 909
- 红花: 6
- 帖子: 1251
- 在线: 537.6小时
- 虫号: 627974
- 注册: 2008-10-16
- 性别: GG
- 专业: 电化学
3楼2018-03-14 11:18:38