| 查看: 591 | 回复: 2 | ||
[求助]
能否用高斯计算材料SiC表面吸附硫酸根离子后的红外光谱
|
|
请教高手： 我在实验中采用做硫酸根离子吸附实验，采用红外光谱检测，出现了新的红外峰，可能有弱Si-O键的存在，能否用高斯计算来证明这一点？ 如何证明？我的初步想法是：构建SiC材料吸附硫酸根离子的模型，采用高斯对其结构进行优化，然后算频率，得到红外吸收光谱，不知是否可行？ |
回复此楼» 猜你喜欢
请问现在还有电池材料方向的博导招人吗
已经有6人回复
-
大连工业大学招收储能电池方向博士1名
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有97人回复
-
《把心放慢，世界就会温柔起来》
已经有0人回复
-
钠离子硬碳负极扣式半电池组装都没有电流！！！
已经有2人回复
-
Ni元素XPS分析
已经有1人回复
-
青岛大学化学化工学院分子测量学研究院2026年招收博士研究生
已经有0人回复
-
求一份origin2019以上版本的origin软件压缩包
已经有1人回复
-
东方理-中科大联合博士生招聘
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2015-04-09 10:48:52
jianying8996
木虫 (著名写手)
科学社会主义人道救援幸福组织
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 4386.5
- 散金: 909
- 红花: 6
- 帖子: 1245
- 在线: 537小时
- 虫号: 627974
- 注册: 2008-10-16
- 性别: GG
- 专业: 电化学
3楼2018-03-14 11:18:38