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zjjshr123

铁杆木虫 (著名写手)

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[交流] 钨酸铋半导体材料性能问题

此贴是关于钨酸铋纳米材料的性能：
主要有以下几个问题困扰我，希望大家一起交流一下~~~~
1、钨酸铋的禁带宽度，尺度差不多的钨酸铋，禁带宽度有说2.8 eV的，有说3.0 eV的。为何有这样的差异？文献里测得紫外吸收图到底靠不靠谱，是否真的能吸收到420nm以上？
2、与三氧化钨相比，两者吸光类似，但是三氧化钨性能能到毫安级别。而钨酸铋只有微安级别。查遍文献不得其解，有木有高人研究过？到底制约其性能的主要问题是什么？
3、表面反应速率问题是否在其中起到很大作用？因为有些用助催化剂的能明显提高活性。
4、同样的，也有一些加入空穴牺牲剂的，也可以明显提高活性。

以上几个问题想向虫友大神们虚心求教，互相探讨，不胜感激。

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1楼2015-03-30 14:13:31

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杨晓团

金虫 (小有名气)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fatewu: 金币+5, 谢谢回帖，欢迎常来无机物化版交流，辛苦了~ 2015-04-26 13:30:33
zjjshr123: 金币+10 2015-04-28 16:04:51

阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)

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zjjshr123: 金币+1 2015-03-30 16:43:35
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11-22

银虫 (小有名气)

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青若: 金币+1, 谢谢回帖，欢迎常来无机物化版交流~ 2015-04-02 15:20:38
zjjshr123(fatewu代发): 金币+6 2015-04-05 14:28:23
zjjshr123: 金币+1 2015-04-28 16:04:59

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