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zjjshr123

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] 钨酸铋半导体材料性能问题

此贴是关于钨酸铋纳米材料的性能:
主要有以下几个问题困扰我,希望大家一起交流一下~~~~
1、钨酸铋的禁带宽度,尺度差不多的钨酸铋,禁带宽度有说2.8 eV的,有说3.0 eV的。为何有这样的差异?文献里测得紫外吸收图到底靠不靠谱,是否真的能吸收到420nm以上?
2、与三氧化钨相比,两者吸光类似,但是三氧化钨性能能到毫安级别。而钨酸铋只有微安级别。查遍文献不得其解,有木有高人研究过?到底制约其性能的主要问题是什么?
3、表面反应速率问题是否在其中起到很大作用?因为有些用助催化剂的能明显提高活性。
4、同样的,也有一些加入空穴牺牲剂的,也可以明显提高活性。

以上几个问题想向虫友大神们虚心求教,互相探讨,不胜感激。
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阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)

★ ★
zjjshr123: 金币+1 2015-03-30 16:43:35
zjjshr123: 金币+1 2015-04-28 16:05:04
路过的看了一下,帮顶,祝福好运!~~~~~~~~~~~~~~~~~~
自强不息,厚德载物;独立精神,自由思想。
2楼2015-03-30 14:24:29
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11-22

银虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
青若: 金币+1, 谢谢回帖,欢迎常来无机物化版交流~ 2015-04-02 15:20:38
zjjshr123(fatewu代发): 金币+6 2015-04-05 14:28:23
zjjshr123: 金币+1 2015-04-28 16:04:59
不同合成方法的物质能隙有一定的差异,因为都不是完美晶体。还有就是量子限域效应和尺寸效应
3楼2015-04-01 20:59:27
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杨晓团

金虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
fatewu: 金币+5, 谢谢回帖,欢迎常来无机物化版交流,辛苦了~ 2015-04-26 13:30:33
zjjshr123: 金币+10 2015-04-28 16:04:51
第二点不清楚,对他们电子结构不了解

第一点,确实合成方法不同可能导致表面缺陷不同所以有微小差异,基本都还可以接受,0.2eV;其实还有个解释,也可以怀疑别人数据没处理好,一般DRS的图谱是不给纵坐标的,如果用切线作图没交到y=0的线上,就会出现误差,0.2eV的误差就出来了。

第三点,这是必然的有很大影响,比如最近康振辉课题组发的关于C-C3N4的工作,有发现表面生成双氧水比生成氧气更快;助催化剂改善活性的机制很多。

第四点,空穴牺牲剂也是消耗空穴,相对电子就积累出来了。
4楼2015-04-26 10:51:01
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