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zjjshr123铁杆木虫 (著名写手)
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[交流]
钨酸铋半导体材料性能问题
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此贴是关于钨酸铋纳米材料的性能： 主要有以下几个问题困扰我，希望大家一起交流一下~~~~ 1、钨酸铋的禁带宽度，尺度差不多的钨酸铋，禁带宽度有说2.8 eV的，有说3.0 eV的。为何有这样的差异？文献里测得紫外吸收图到底靠不靠谱，是否真的能吸收到420nm以上？ 2、与三氧化钨相比，两者吸光类似，但是三氧化钨性能能到毫安级别。而钨酸铋只有微安级别。查遍文献不得其解，有木有高人研究过？到底制约其性能的主要问题是什么？ 3、表面反应速率问题是否在其中起到很大作用？因为有些用助催化剂的能明显提高活性。 4、同样的，也有一些加入空穴牺牲剂的，也可以明显提高活性。 以上几个问题想向虫友大神们虚心求教，互相探讨，不胜感激。 |
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3楼2015-04-01 20:59:27
阿Q~~
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2楼2015-03-30 14:24:29
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fatewu: 金币+5, 谢谢回帖，欢迎常来无机物化版交流，辛苦了~ 2015-04-26 13:30:33
zjjshr123: 金币+10 2015-04-28 16:04:51
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zjjshr123: 金币+10 2015-04-28 16:04:51
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第二点不清楚，对他们电子结构不了解 第一点，确实合成方法不同可能导致表面缺陷不同所以有微小差异，基本都还可以接受，0.2eV；其实还有个解释，也可以怀疑别人数据没处理好，一般DRS的图谱是不给纵坐标的，如果用切线作图没交到y=0的线上，就会出现误差，0.2eV的误差就出来了。 第三点，这是必然的有很大影响，比如最近康振辉课题组发的关于C-C3N4的工作，有发现表面生成双氧水比生成氧气更快；助催化剂改善活性的机制很多。 第四点，空穴牺牲剂也是消耗空穴，相对电子就积累出来了。 |
4楼2015-04-26 10:51:01
