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Liz_Tesla木虫 (小有名气)
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VASP 自旋轨道耦合 问题 已有1人参与
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最近在尝试用VASP计算自旋轨道耦合，用拓扑绝缘体Bi2Se3来检验，发现加入SO后能隙并没有打开而是减少。下面是我的步骤: 1）正常优化结构，进行自洽静态计算，得到WAVECAR和CHGCAR（这一步没有加SO） 2）加入SO，其中将第一步得到的IBZKPT拷贝成KPOINTS，并将INCAR改写成 SYSTEM = Bi2Se3 ENCUT = 400 ISTART = 1 ; ICHARG = 11 #ISMEAR = -5 PREC = Normal LORBIT=11 #LELF=.TRUE LSORBIT= .TRUE LMAXMIX=2 MAGMOM=15*0 SAXIS= 0 0 1 NBANDS=64 ISYM=0 GGA_COMPAT=.FALSE 其中LMAXMIN=2，是因为Bi和Se都是 s element 3）计算能带。将KPOINTS修改为line-mode取点。INCAR改为 SYSTEM = Bi2Se3 ENCUT = 400 ISTART = 1 ; ICHARG = 11 #ISMEAR = -5 PREC = Normal LORBIT=11 #LELF=.TRUE LSORBIT= .TRUE LMAXMIX=2 #MAGMOM=15*0 #SAXIS= 0 0 1 #NBANDS=64 ISYM=0 GGA_COMPAT=.FALSE 下面两幅图是我得到的能带图。不加SO时能带图与文献符合。加入SO后能隙不是打开而是有点闭合（费米能级为3.65） 另外我的步骤有没有问题？谢谢  no SO.png  with SO.png |
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 自旋轨道耦合 |
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