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Liz_Tesla

木虫 (小有名气)

[求助] VASP 自旋轨道耦合 问题 已有1人参与

最近在尝试用VASP计算自旋轨道耦合,用拓扑绝缘体Bi2Se3来检验,发现加入SO后能隙并没有打开而是减少。下面是我的步骤:
      1)正常优化结构,进行自洽静态计算,得到WAVECAR和CHGCAR(这一步没有加SO)
   2)加入SO,其中将第一步得到的IBZKPT拷贝成KPOINTS,并将INCAR改写成
         SYSTEM = Bi2Se3
                ENCUT = 400
                ISTART = 1 ; ICHARG = 11
                #ISMEAR = -5
                 PREC = Normal

                 LORBIT=11
                 #LELF=.TRUE

                 LSORBIT= .TRUE
                 LMAXMIX=2
                 MAGMOM=15*0
                 SAXIS= 0 0 1
                 NBANDS=64
                 ISYM=0
                 GGA_COMPAT=.FALSE
        其中LMAXMIN=2,是因为Bi和Se都是 s element
    3)计算能带。将KPOINTS修改为line-mode取点。INCAR改为
         SYSTEM = Bi2Se3
                ENCUT = 400
                ISTART = 1 ; ICHARG = 11
                #ISMEAR = -5
                PREC = Normal

                LORBIT=11
                #LELF=.TRUE

                LSORBIT= .TRUE
                LMAXMIX=2
                #MAGMOM=15*0
                #SAXIS= 0 0 1
                #NBANDS=64
                ISYM=0
                GGA_COMPAT=.FALSE

       下面两幅图是我得到的能带图。不加SO时能带图与文献符合。加入SO后能隙不是打开而是有点闭合(费米能级为3.65)
    另外我的步骤有没有问题?谢谢

VASP 自旋轨道耦合 问题
no SO.png


VASP 自旋轨道耦合 问题-1
with SO.png
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对马拉二胡

至尊木虫 (职业作家)

请问一下,SO算能带和直接算能带哪个快?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
相互学习,共同进步。
7楼2015-03-30 21:12:53
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