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关于层错与扩展位错
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浅读了一下层错方面的资料，有几个个问题一直想不明白： 1：层错能低，容易再结晶。解释：层错能低，扩展位错宽度增加，位错难以束集，因此位错难以进行滑移、攀移动，因此无法进行回复，因此容易再结晶。 我的问题是：再结晶难道不需要位错的运动吗？再结晶形成的晶界也是由位错墙演变而来的，层错能低，位错运动困难，还怎么再结晶啊？ 2：HCP例如镁合金中有扩展位错吗，可以通过TEM拍到它的宽度吗？ 3：有没有一些可以表征层错能，并且很简单的一些实验？ |
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2楼2019-06-28 16:41:52
