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关于层错与扩展位错
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浅读了一下层错方面的资料,有几个个问题一直想不明白: 1:层错能低,容易再结晶。解释:层错能低,扩展位错宽度增加,位错难以束集,因此位错难以进行滑移、攀移动,因此无法进行回复,因此容易再结晶。 我的问题是:再结晶难道不需要位错的运动吗?再结晶形成的晶界也是由位错墙演变而来的,层错能低,位错运动困难,还怎么再结晶啊? 2:HCP例如镁合金中有扩展位错吗,可以通过TEM拍到它的宽度吗? 3:有没有一些可以表征层错能,并且很简单的一些实验? |
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2楼2019-06-28 16:41:52







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