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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 直接带隙与间接带隙在应用上有何区别呢？
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)

[求助] 直接带隙与间接带隙在应用上有何区别呢？ 已有3人参与

如题，Si和Ge都是间接带隙的吧，为什么Si这么流行，而Ge却被抛弃了呢？
直接带隙半导体和间接带隙半导体应用上有什么区别吗？
例如，应用在场效应管上，是要求直接带隙的，还是间接带隙的？
应用在光电领域，感觉应该是直接带隙的才行，但是为啥现在很多太阳能电池都是Si的呢？
物理菜鸟，请各位前辈指教
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这家伙太懒了，什么都没有填……
1楼 2015-03-18 17:13:42
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
奔跑的爷们: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-03-19 09:56:37
Si相对于Ge而言，价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙，都要根据具体器件的要求，当然一般来说带隙越宽越好，吸收的波段比较大，太阳能利用率高。
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2楼2015-03-19 08:29:58
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jerryxinjie

禁虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
奔跑的爷们: 金币+30, ★★★★★最佳答案 2015-03-19 09:58:20
本帖内容被屏蔽
3楼2015-03-19 08:57:50
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2015-03-19 08:29:58
Si相对于Ge而言，价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙，都要根据具体器件的要求，当然一般来说带隙越宽越好，吸收的波段比较大，太阳能利用率高。

大侠，应用在场效应管上，是要求直接带隙的，还是间接带隙的？
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这家伙太懒了，什么都没有填……
4楼2015-03-19 09:57:03
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by jerryxinjie at 2015-03-19 08:57:50
间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。
间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子 ...

大侠，应用在场效应管上，是要求直接带隙的，还是间接带隙的？
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这家伙太懒了，什么都没有填……
5楼2015-03-19 09:58:04
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error444

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
6楼2015-03-19 23:50:47
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by error444 at 2015-03-19 23:50:47
硅工艺比较成熟

多谢指教!
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这家伙太懒了，什么都没有填……
7楼2015-03-20 14:41:38
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lyp0215

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
si直接带隙响应速度快，带隙宽，光的利用率大。
si的工艺比较成熟，价格便宜。总和一下就是si优于其它半导体材料。。
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8楼2015-03-20 23:22:34
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林深之夏

铁虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2015-03-19 08:29:58
Si相对于Ge而言，价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙，都要根据具体器件的要求，当然一般来说带隙越宽越好，吸收的波段比较大，太阳能利用率高。

应该是带隙窄了，吸收的波段更大吧？
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哦哦哦！加油啊！
9楼2016-03-11 20:34:56
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