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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)

[求助] 直接带隙与间接带隙在应用上有何区别呢?已有3人参与

如题,Si和Ge都是间接带隙的吧,为什么Si这么流行,而Ge却被抛弃了呢?
直接带隙半导体和间接带隙半导体应用上有什么区别吗?
例如,应用在场效应管上,是要求直接带隙的,还是间接带隙的?
应用在光电领域,感觉应该是直接带隙的才行,但是为啥现在很多太阳能电池都是Si的呢?
物理菜鸟,请各位前辈指教
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这家伙太懒了,什么都没有填……
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
奔跑的爷们: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-03-19 09:56:37
Si相对于Ge而言,价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙,都要根据具体器件的要求,当然一般来说带隙越宽越好,吸收的波段比较大,太阳能利用率高。
2楼2015-03-19 08:29:58
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jerryxinjie

禁虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
奔跑的爷们: 金币+30, ★★★★★最佳答案 2015-03-19 09:58:20
本帖内容被屏蔽

3楼2015-03-19 08:57:50
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2015-03-19 08:29:58
Si相对于Ge而言,价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙,都要根据具体器件的要求,当然一般来说带隙越宽越好,吸收的波段比较大,太阳能利用率高。

大侠,应用在场效应管上,是要求直接带隙的,还是间接带隙的?
这家伙太懒了,什么都没有填……
4楼2015-03-19 09:57:03
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by jerryxinjie at 2015-03-19 08:57:50
间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。
间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。电子 ...

大侠,应用在场效应管上,是要求直接带隙的,还是间接带隙的?
这家伙太懒了,什么都没有填……
5楼2015-03-19 09:58:04
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error444

禁虫 (初入文坛)

本帖内容被屏蔽

6楼2015-03-19 23:50:47
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奔跑的爷们

银虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by error444 at 2015-03-19 23:50:47
硅工艺比较成熟

多谢指教!
这家伙太懒了,什么都没有填……
7楼2015-03-20 14:41:38
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lyp0215

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
si直接带隙响应速度快,带隙宽,光的利用率大。
si的工艺比较成熟,价格便宜。总和一下就是si优于其它半导体材料。。
8楼2015-03-20 23:22:34
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林深之夏

铁虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2015-03-19 08:29:58
Si相对于Ge而言,价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙,都要根据具体器件的要求,当然一般来说带隙越宽越好,吸收的波段比较大,太阳能利用率高。

应该是带隙窄了,吸收的波段更大吧?
哦哦哦!加油啊!
9楼2016-03-11 20:34:56
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