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银虫 (正式写手)

[求助] 直接带隙与间接带隙在应用上有何区别呢？已有3人参与

如题，Si和Ge都是间接带隙的吧，为什么Si这么流行，而Ge却被抛弃了呢？
直接带隙半导体和间接带隙半导体应用上有什么区别吗？
例如，应用在场效应管上，是要求直接带隙的，还是间接带隙的？
应用在光电领域，感觉应该是直接带隙的才行，但是为啥现在很多太阳能电池都是Si的呢？
物理菜鸟，请各位前辈指教

这家伙太懒了，什么都没有填……

1楼 2015-03-18 17:13:42

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铁虫 (正式写手)

引用回帖:

2楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2015-03-19 08:29:58
Si相对于Ge而言，价格便宜。直接带隙也好还是间接带隙，都要根据具体器件的要求，当然一般来说带隙越宽越好，吸收的波段比较大，太阳能利用率高。

应该是带隙窄了，吸收的波段更大吧？

哦哦哦！加油啊！

9楼2016-03-11 20:34:56

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