| 查看: 6048 | 回复: 13 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
windsuk2011金虫 (小有名气)
|
[求助]
缺陷能带结构中的能级与缺陷形成能计算中的转变能级的问题 已有1人参与
|
||
|
在能带结构计算中，缺陷会在禁带中引入defect level，DOS图中也可看出，而缺陷形成能的计算中，可以得到defect transition level， 这两个level有何不同？ defect transition level对应缺陷电离能，而电离能=导带 - defect level（施主） 是不是一样呢？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 VASP计算资料收集byZF |
» 猜你喜欢
求调剂院校信息
已经有4人回复
-
085600材料与化工306
已经有4人回复
-
286求调剂
已经有10人回复
-
328求调剂，英语六级551，有科研经历
已经有9人回复
-
一志愿北京化工大学070300 学硕336求调剂
已经有4人回复
-
286分人工智能专业请求调剂愿意跨考！
已经有8人回复
-
资源与环境 调剂申请(333分)
已经有5人回复
-
280求调剂
已经有12人回复
-
269专硕求调剂
已经有5人回复
-
材料学硕301分求调剂
已经有7人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 关于形成能计算
已经有3人回复
- 球墨铸铁的缺陷求助
已经有10人回复
- 大神看这里，VASP能带中费米能级问题
已经有4人回复
- 关于真空能级的理解
已经有10人回复
- 掺杂后的杂质能级问题
已经有11人回复
- ZnO本征缺陷对应缺陷态能级位置
已经有3人回复
- 请详细解释一下缺陷态密度和缺陷态分布
已经有7人回复
- 如何判断杂质能级
已经有11人回复
- 点缺陷、线缺陷和面缺陷
已经有4人回复
- 请教大家一个关于ZnS导带和价带能级的问题
已经有14人回复
- 怎么计算钕能级跃迁所对应的波长
已经有8人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- 缺陷形成能计算
已经有11人回复
- 缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
- 量子点能级问题
已经有5人回复
- 深——浅能级与施——受主概念辨析
已经有4人回复
- 【求助】求能够计算孤立原子每个能级的能量的软件
已经有4人回复
- 【求助】MS计算费米能级位置的疑问
已经有18人回复
- 【求助】如何确定缺陷态有几个电子在带隙中
已经有5人回复
- 【求助】castep计算是否可以判断出缺陷能级是施主还是受主？
已经有6人回复
- 【其他】缺陷形成能与电中性要求
已经有12人回复
- 【求助】使用传输矩阵法计算量子阱子能级
已经有10人回复
- 【求助】用vasp4.6计算GaAs的能带结构
已经有18人回复
stractor
金虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 91 (初中生)
- 金币: 1487.6
- 散金: 666
- 红花: 30
- 沙发: 1
- 帖子: 2224
- 在线: 426.8小时
- 虫号: 394087
- 注册: 2007-06-06
- 专业: 半导体材料
9楼2015-01-29 19:08:47
stractor
金虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 91 (初中生)
- 金币: 1487.6
- 散金: 666
- 红花: 30
- 沙发: 1
- 帖子: 2224
- 在线: 426.8小时
- 虫号: 394087
- 注册: 2007-06-06
- 专业: 半导体材料
2楼2015-01-28 17:15:31
stractor
金虫 (著名写手)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 91 (初中生)
- 金币: 1487.6
- 散金: 666
- 红花: 30
- 沙发: 1
- 帖子: 2224
- 在线: 426.8小时
- 虫号: 394087
- 注册: 2007-06-06
- 专业: 半导体材料
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2015-01-29 07:41:19
windsuk2011: 金币+10, ★有帮助 2015-02-01 11:36:44
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2015-01-29 07:41:19
windsuk2011: 金币+10, ★有帮助 2015-02-01 11:36:44
|
参看：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8467061&authorid=394087 两种能级不是一回事。缺陷能级是真正的能级，缺陷导致的能级可以被电子占据，也可以不被电子占据，可以提供电子的跃迁，和电子-空穴的复合。简言之，缺陷能级是能带结构中真正的能级。 缺陷转变能级是刻画不同价态缺陷之间的转变，它并不是能带结构中的能级。缺陷形成能与电子费米能级（也就是电子的化学势）有关。何为电子费米能级，因为半导体中，缺陷可以存在多种价态，这就涉及到某种原子得到或失去电子，那么这失去的电子要被一个环境去容纳它，这个容纳它的环境的能量就成为电子的化学势或费米能级，它的可能值位于VBM到CBM。不同价的缺陷的形成能与费米能级相关，当某个费米能级时如果两种价态的缺陷形成能相等，那么这个电子费米能级的值就是缺陷转变能级。对于受主，电离能就是（0/-)缺陷的转变能级。 |
3楼2015-01-28 17:28:35
windsuk2011
金虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 1202.3
- 帖子: 53
- 在线: 27.6小时
- 虫号: 2222758
- 注册: 2013-01-05
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
|
额。。。这个帖子还是我发的，我看了大部分有关缺陷的书，对于缺陷能级都是这么介绍的，缺陷在禁带中会引入能级，该能级的位置就用电离能来表示，施主能级就是导带以下Ed的位置，受主能级就在价带以上Ea的位置，而这些电离能可以通过电离前后能量的改变来求得，即两种不同价态的缺陷形成能之差除以电荷差，也就是缺陷转变能级。 那么能带计算中得到的缺陷的能级，它距离导带（或价带）的距离是不是不等于电离能啊？ The thermodynamic transition levels are not to be confused with the single-particle Kohn–Sham states that result from band-structure calculations for a single charge state. It is important to realize that the Kohn-Sham (KS) levels that result from a bandstructure calculation for the center cannot directly be identified with any levels that are relevant for experiment。 还有，从这两句话来看，似乎能带计算中得到的缺陷能级用处不大啊？ |
4楼2015-01-28 19:21:52
