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windsuk2011金虫 (小有名气)
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缺陷能带结构中的能级与缺陷形成能计算中的转变能级的问题已有1人参与
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在能带结构计算中，缺陷会在禁带中引入defect level，DOS图中也可看出，而缺陷形成能的计算中，可以得到defect transition level， 这两个level有何不同？ defect transition level对应缺陷电离能，而电离能=导带 - defect level（施主） 是不是一样呢？ |
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windsuk2011
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额。。。这个帖子还是我发的，我看了大部分有关缺陷的书，对于缺陷能级都是这么介绍的，缺陷在禁带中会引入能级，该能级的位置就用电离能来表示，施主能级就是导带以下Ed的位置，受主能级就在价带以上Ea的位置，而这些电离能可以通过电离前后能量的改变来求得，即两种不同价态的缺陷形成能之差除以电荷差，也就是缺陷转变能级。 那么能带计算中得到的缺陷的能级，它距离导带（或价带）的距离是不是不等于电离能啊？ The thermodynamic transition levels are not to be confused with the single-particle Kohn–Sham states that result from band-structure calculations for a single charge state. It is important to realize that the Kohn-Sham (KS) levels that result from a bandstructure calculation for the center cannot directly be identified with any levels that are relevant for experiment。 还有，从这两句话来看，似乎能带计算中得到的缺陷能级用处不大啊？ |
4楼2015-01-28 19:21:52
windsuk2011
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6楼2015-01-29 10:06:30
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抱歉，今天才看到，很感谢你的详细解答。 1、 "即两种不同价态的缺陷形成能之差除以电荷差，也就是缺陷转变能级”，关于这句话，就是缺陷转变能级的计算公式，缺陷转变能级定义是两种不同价态的缺陷形成能相等时费米能级所在位置，但是它在数值上就是当费米能级在VBM时，两形成能相减再除以电荷差。公式见附件插图 2、正是由于“缺陷转变能级与电离能对应”，“颠覆”了我对缺陷能级的认识，我现在觉得我们平时说的缺陷能级就是缺陷转变能级了，因为缺陷能级的位置可以从电离能推出，而电离能又与转变能级对应，这似乎就能得出缺陷能级和缺陷转变能级在数值上相等（受主），对于施主能级，缺陷能级Ed=Eg - E（+/0）。 3、我没有接触过第一性原理，本来只是想找一些数值计算的结果，好与实验对比，结果读了一些文献后，发现了通过能带计算可以得出DOS，找到缺陷能级；通过形成能计算，可以得到缺陷转变能级。最终导致“缺陷能级”“缺陷转变能级”傻傻分不清楚了，虽然说这两个概念上完全不同，但事实上感觉又是一样的了（第二点描述）。 希望大牛能指点迷津啊！  捕获.PNG |
11楼2015-01-31 17:16:27
windsuk2011
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13楼2015-01-31 22:03:35