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小达达达

银虫 (正式写手)

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[求助] 想在光刻完的半导体上沉积2μm左右厚的Ni/Au薄膜，还有什么办法呢？已有6人参与

想在光刻完的半导体上沉积2μm左右厚的Ni/Au薄膜，使用溅射的厚度不会很厚（一般200nm左右），还有什么办法呢？

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1楼 2015-01-09 11:24:19

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li2005235

新虫 (初入文坛)

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【答案】应助回帖

这得看你的光刻胶是多厚的，依据情况来用剥离法。你如果想沉积2um厚的金属薄膜，一般情况下光刻胶的厚度至少在3um。其实，我们在用剥离法做图形时，光刻胶的厚度应该在你沉积薄膜厚度的3倍。这样剥离的图形会好很多，尤其是对于线宽比较小的情况。但是，我以前做过光刻胶是1.5um，剥离1um的Ni膜，剥离的效果还是可以的。所以，你可以试一下，尽量让光刻胶的厚度在3um以上。比如用AZ5218一类的，AZ5218光刻胶厚度可以在3um左右，你得试一下，我感觉是可以的。有什么问题可以问我，我对这个有些了解。