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blueskyami木虫 (著名写手)
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[求助]如何制备与测试金属半导体的欧姆接触？
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请问大家是如何制备与测试金属半导体的欧姆接触的？ 文献中常用的方法实现相对比较困难 希望高手指点 大家都怎么测试的？ 是否有比较简便的测试方法？ 主要关于测试样品的制备方法 [ Last edited by blueskyami on 2008-5-26 at 14:49 ] |
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我师兄的论文中的相关部分，整理如下： 金属与重掺半导体接触，就形成了欧姆接触。不同的半导体需选用相应的金属才能达到效果。当接触层有近似的线性对称I-V关系，且又较小的接触电阻，说明达到了接近理想的欧姆接触。 一般方法：合金再生长，解除金属中掺杂剂的扩散；再次外延（双外延）；离子注入。 一般来讲， 1.半导体接触部分重掺杂后，将半导体清洗干净，放入蒸发系统的模具中，利用蒸镀的方法在重掺的一层进行金属蒸镀，并使金属层有一定的厚度。 2.蒸发结束后，在真空为10^(-5)--10^(-6)torr的真空系统中加热约400摄氏度2个小时，进行合金化处理。 可以参照这个方法，以及下面的文章，对上述方法的一些参数进行调节，如真空度，合金化处理的温度T和时间t进行优化的调节。 传一篇文章题目，希望有用，呵呵http://www.isload.com.cn/store/pw3knj6bvmoww（刚上传到爱存盘） A review of the theory and technology for ohmic contacts to group III–V compound semiconductors Solid-State Electronics Volume 18, Issue 6, June 1975, Pages 541-550 [ Last edited by forever on 2008-5-26 at 16:54 ] |
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