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blueskyami

木虫 (著名写手)

[交流] [求助]如何制备与测试金属半导体的欧姆接触?

请问大家是如何制备与测试金属半导体的欧姆接触的?
文献中常用的方法实现相对比较困难
希望高手指点
大家都怎么测试的?
是否有比较简便的测试方法?
主要关于测试样品的制备方法

[ Last edited by blueskyami on 2008-5-26 at 14:49 ]
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blueskyami

木虫 (著名写手)

那制备金属薄膜有哪些简便方法呢?是否一定需要溅射和蒸镀?
3楼2008-05-26 10:05:24
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bluesky238

木虫 (正式写手)

★ ★
zt970831(金币+2,VIP+0):感谢您的交流
先查查金属得功函数,对于P型半导体,用功函数比较大得,对于N型半导体,用功函数比较小得金属,一般是制备金属薄膜来做获得良好得接触,然后用探针接触金属电极,测量I-V曲线,线型即为作成功了欧姆接触
2楼2008-05-26 09:31:44
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forever

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
zt970831(金币+5,VIP+0):非常感谢您的帮助
我师兄的论文中的相关部分,整理如下:
金属与重掺半导体接触,就形成了欧姆接触。不同的半导体需选用相应的金属才能达到效果。当接触层有近似的线性对称I-V关系,且又较小的接触电阻,说明达到了接近理想的欧姆接触。
     一般方法:合金再生长,解除金属中掺杂剂的扩散;再次外延(双外延);离子注入。

一般来讲,
1.半导体接触部分重掺杂后,将半导体清洗干净,放入蒸发系统的模具中,利用蒸镀的方法在重掺的一层进行金属蒸镀,并使金属层有一定的厚度。
2.蒸发结束后,在真空为10^(-5)--10^(-6)torr的真空系统中加热约400摄氏度2个小时,进行合金化处理。
可以参照这个方法,以及下面的文章,对上述方法的一些参数进行调节,如真空度,合金化处理的温度T和时间t进行优化的调节。

传一篇文章题目,希望有用,呵呵http://www.isload.com.cn/store/pw3knj6bvmoww(刚上传到爱存盘)

A review of the theory and technology for ohmic contacts to group III–V compound semiconductors

Solid-State Electronics
Volume 18, Issue 6, June 1975, Pages 541-550

[ Last edited by forever on 2008-5-26 at 16:54 ]
4楼2008-05-26 10:56:37
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wobowobo

问题非常好,对这个方面也是刚刚接触,下了楼上的文章
5楼2008-05-26 21:33:48
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