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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP加电场的问题
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whywhy01

金虫 (小有名气)

[求助] VASP加电场的问题 已有1人参与

在金属薄膜体系加电场，有15A的真空层，电场沿Z轴方向
开电场用的下面三个参数：
  EFIELD = 0.05
  IDIPOL = 3
  LDIPOL = .TRUE.
自洽计算电荷密度时发现只有LDIPOL的开关对计算过程和结果有影响，电场的正负和大小都不能改变CHGCAR和WAVECAR，感觉这个结果很不符合常理
这是完整的INCAR：
    PREC = Accurate
   ENCUT = 500
  IBRION = -1
  NELMIN = 2
   EDIFF = 1.0e-05
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
    NELM = 60
    ALGO = Normal (blocked Davidson)
   ISPIN = 2
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 2
ADDGRID = .FALSE.
  ISMEAR = -5
   SIGMA = 0.2
   LREAL = A
  LORBIT = 11
  MAGMOM = 4*0.749 4*0.813 4*1.974
LMAXMIX = 4
    NPAR = 6
  EFIELD = 0.3
  LDIPOL = .TRUE.
  IDIPOL = 3

其他参数应该都没有问题。希望大家能帮我看一看问题出在哪儿。。。
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1楼 2014-11-28 15:22:12
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-11-30 17:14:04
你怎么判断”电场的正负和大小都不能改变CHGCAR和WAVECAR，“。
你将静电势输出到LOCPOT，然后对LOCPOT处理一下，看加电场后真空区间的势的变化，是不是斜的。
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2楼2014-11-29 19:06:10
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
4楼: Originally posted by whywhy01 at 2014-11-30 16:21:11
是用vtotav处理LOCPOT出来的VLINE文件看吗？加正负方向电场的曲线是完全重合的...

不可理解你的结果。加的电场强度大小是多少？
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5楼2014-11-30 15:32:30
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。 2014-11-30 17:14:16
真空层在哪个方向上？
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6楼2014-11-30 15:34:14
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
7楼: Originally posted by whywhy01 at 2014-11-30 17:23:03
大小是0.1 V/A，加在z轴上。运行vtota.exe是这样的：
Which direction to keep? (1-3 --- 1=X,2=Y,3=Z)
3
          12
positions read
charge density read
  2.79017870E-04
然后拿输出的VLINE直接放o ...

这一步的步骤没有问题。基本正确。
贴出你的POSCAR。
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8楼2014-11-30 20:15:28
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
9楼: Originally posted by whywhy01 at 2014-11-30 21:31:32
New structure                           
   1.00000000000000     
     5.6733630828874579    0.0000000000000000    0.0000000000000000
     0.0000000000000000    4.9119752031931467    0.0013815384 ...

原子层放在中间，对结果没有影响。

为啥你的基矢a23, a32不是为零？　你计算的什么类型的表面（表面方向和表面大小）？
难道你的POSCAR是通过ISIF=3优化出来的吗？
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10楼2014-11-30 20:53:02
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
如果你的POSCAR是通过ISIF=3优化出来的话，那你的这个POSCAR就有点问题了。
对于slab的超原胞，除非你修改过vasp源代码，用ISIF=3来优化这样体系的结构是有问题的，它会调整真空层的厚度。
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11楼2014-11-30 20:56:07
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
whywhy01: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-12-04 09:54:12
建议你做这样的测试：

１）增加电场强度的大小，看真空层区域的静电势的变化
２）将基矢的a23, a32改为0.0000后再计算测试一下。它们的值很小，接近０。可改为0。
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12楼2014-11-30 20:59:24
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
13楼: Originally posted by whywhy01 at 2014-11-30 22:00:45
初始的超胞是四方的，结构优化时ISIF=3产生了一点畸变，考虑到这个变化量不大就直接拿过来了。Ni和Co都是FCC结构，底面是(111)面，z轴沿<111>方向...

如我前面说的，你这样得到的POSCAR有问题。重新计算。

对于表面体系的超原胞的计算，不要采用ISIF=3.
正确或合理的步骤：先优化和计算好块体材料的结构参数（晶格常数，原子坐标），再切表面构造出表面体系的超原胞，对这样得到的表面体系的超原胞进行只优化原子位置（也就是ISIF=2），平行于表面的晶格常数固定，表面方向上的晶格常数根据真空层厚度以及原子层厚度来取。
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15楼2014-12-01 18:42:03
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
更正："表面方向上的晶格常数根据真空层厚度以及原子层厚度来取"-----"表面法向方向上的晶格常数根据真空层厚度以及原子层厚度来取"
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16楼2014-12-01 18:43:32
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

引用回帖:
18楼: Originally posted by whywhy01 at 2014-12-04 10:53:55
我用您的方法试过了，晶体结构符合要求，但是电场还是没有明显作用。于是用加减电子的方法模拟电场了。还是很感谢您！...

加减电子数，还不是模拟加静电场。 通过偶极矩、锯齿型势、平行板电容器加静电场会改变上下两个表面上的电荷分布，但是不改变体系的总电荷。

你试过把电场强度增大一些，比如0.2, 0.3或更大一点。
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19楼2014-12-04 10:24:09
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