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sc1991

银虫 (小有名气)

[交流] 非故意掺杂的ZnO为什么是n型的？

目前大多数人的理解是：ZnO中的原生缺陷：氧空位在ZnO禁带中引入施主能级。
但是，最近看了好几篇理论方面的文献，文献中计算的氧空位对应的能级是深能级。而深施主能级是不能在平衡状态下，通过热激发使ZnO中载流子浓度达到10^18 cm^(-3) 量级的。
大家来深入讨论下吧，金币不是问题！

非故意掺杂的ZnO为什么是n型的？
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坚持
1楼 2014-11-06 21:15:58
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dinghy09

铁虫 (初入文坛)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sc1991: 金币+8, 很有帮助！非常感谢。 2014-11-07 15:21:01
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态，能级深度约70meV。

我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态，不知道是什么缺陷态，可能是H
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5楼2014-11-07 11:31:23
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查看全部 8 个回答

阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)
帮顶一下，不懂 ~~~~~~~~~~~~~
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自强不息，厚德载物；独立精神，自由思想。
4楼2014-11-07 07:26:52
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sc1991

银虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by dinghy09 at 2014-11-07 11:31:23
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态，能级深度约70meV。

我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态，不知道是什么缺陷态，可能是H

非常感谢！
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ，ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗？
另外，我看的文献里有说是H填隙施主造成的，但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉，不引入H。
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坚持
6楼2014-11-07 15:27:07
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dinghy09

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
6楼: Originally posted by sc1991 at 2014-11-07 15:27:07
非常感谢！
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ，ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗？
另外，我看的文献里有说是H填隙施主造成的，但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉，不引入H。...

H无处不在，一般实验室做的都是在粗真空条件做的，腔体内还是存在很多的H。
Zn离子半径很小，填隙形成能不高。18次方的浓度还是可以达到的
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sc1991
7楼2014-11-07 17:31:17
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