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非故意掺杂的ZnO为什么是n型的?
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sc1991
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非故意掺杂的ZnO为什么是n型的?
目前大多数人的理解是:ZnO中的原生缺陷:氧空位在ZnO禁带中引入施主能级。
但是,最近看了好几篇理论方面的文献,文献中计算的氧空位对应的能级是深能级。而深施主能级是不能在平衡状态下,通过热激发使ZnO中载流子浓度达到10^18 cm^(-3) 量级的。
大家来深入讨论下吧,金币不是问题!
ZnO.png
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2014-11-06 21:15:58
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2014-11-06 21:41:18
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dinghy09
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2014-11-07 15:21:01
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态,能级深度约70meV。
我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态,不知道是什么缺陷态,可能是H
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2014-11-07 11:31:23
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dinghy09
at 2014-11-07 11:31:23
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态,能级深度约70meV。
我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态,不知道是什么缺陷态,可能是H
非常感谢!
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ,ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗?
另外,我看的文献里有说是H填隙施主造成的,但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉,不引入H。
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2014-11-07 15:27:07
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sc1991
at 2014-11-07 15:27:07
非常感谢!
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ,ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗?
另外,我看的文献里有说是H填隙施主造成的,但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉,不引入H。...
H无处不在,一般实验室做的都是在粗真空条件做的,腔体内还是存在很多的H。
Zn离子半径很小,填隙形成能不高。18次方的浓度还是可以达到的
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sc1991
7楼
2014-11-07 17:31:17
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dinghy09
at 2014-11-07 17:31:17
H无处不在,一般实验室做的都是在粗真空条件做的,腔体内还是存在很多的H。
Zn离子半径很小,填隙形成能不高。18次方的浓度还是可以达到的...
那H填隙占主要地位还是Zn填隙?
另外,再请教一个问题,还望你不厌其烦地进行解答。
氧空位对应的缺陷能级 与 氧空位化学吸附氧气后对应的能级 是一样的吗?如果不一样,会有什么变化呢?
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2014-11-10 08:37:22
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