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sc1991

银虫 (小有名气)

[交流] 非故意掺杂的ZnO为什么是n型的?

目前大多数人的理解是:ZnO中的原生缺陷:氧空位在ZnO禁带中引入施主能级。
但是,最近看了好几篇理论方面的文献,文献中计算的氧空位对应的能级是深能级。而深施主能级是不能在平衡状态下,通过热激发使ZnO中载流子浓度达到10^18 cm^(-3) 量级的。
大家来深入讨论下吧,金币不是问题!

非故意掺杂的ZnO为什么是n型的?
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坚持
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2楼2014-11-06 21:30:39
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3楼2014-11-06 21:41:18
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阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)

帮顶一下,不懂 ~~~~~~~~~~~~~
自强不息,厚德载物;独立精神,自由思想。
4楼2014-11-07 07:26:52
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dinghy09

铁虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
sc1991: 金币+8, 很有帮助!非常感谢。 2014-11-07 15:21:01
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态,能级深度约70meV。

我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态,不知道是什么缺陷态,可能是H
5楼2014-11-07 11:31:23
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sc1991

银虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by dinghy09 at 2014-11-07 11:31:23
一般认为是Zn填隙浅施主缺陷态,能级深度约70meV。

我做变温的实验发现还有一种约几个meV的缺陷态,不知道是什么缺陷态,可能是H

非常感谢!
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ,ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗?
另外,我看的文献里有说是H填隙施主造成的,但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉,不引入H。
坚持
6楼2014-11-07 15:27:07
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dinghy09

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
6楼: Originally posted by sc1991 at 2014-11-07 15:27:07
非常感谢!
Zn填隙的本征缺陷 形成能应该很高吧 ,ZnO中的Zn填隙缺陷浓度能足够给出那么多的电子吗?
另外,我看的文献里有说是H填隙施主造成的,但是实验室合成ZnO纳米线一般用到的是ZnO和炭粉,不引入H。...

H无处不在,一般实验室做的都是在粗真空条件做的,腔体内还是存在很多的H。
Zn离子半径很小,填隙形成能不高。18次方的浓度还是可以达到的

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

7楼2014-11-07 17:31:17
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sc1991

银虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
7楼: Originally posted by dinghy09 at 2014-11-07 17:31:17
H无处不在,一般实验室做的都是在粗真空条件做的,腔体内还是存在很多的H。
Zn离子半径很小,填隙形成能不高。18次方的浓度还是可以达到的...

那H填隙占主要地位还是Zn填隙?

另外,再请教一个问题,还望你不厌其烦地进行解答。
氧空位对应的缺陷能级 与 氧空位化学吸附氧气后对应的能级 是一样的吗?如果不一样,会有什么变化呢?
坚持
8楼2014-11-10 08:37:22
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