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FLYFWY木虫 (小有名气)
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请教如何将纳米多层膜从基底上脱离 已有1人参与
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最近研究纳米多层膜，需要将溅射得到的金属多层膜（几个μ）从SiC基底上脱离，粘到另一个模具上。 目的是利用膜与SiC基底接触的那一面（即下表面）的低粗糙度。 遇到一个问题：用环氧胶将膜上表面与模具粘在一起，然后扯开，使膜脱离 SiC基底，最后得到的膜的面型很不好，估计和胶不均匀以及脱膜过程有关。 请问有没有好的方法脱膜？ 谢谢大家！O(∩_∩)O~ |
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FLYFWY
木虫 (小有名气)
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3楼2014-09-23 09:54:17
yswyx 
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【答案】应助回帖
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整面的剥离往往是非常困难的。一般都是用柔性材料，把金属膜沾上去，从一边揭开，让金属膜和SiC衬底缓慢剥离。然后再把金属膜从柔性衬底转移至你的模具表面。这里面有几个关键 1. 金属膜和柔性材料的粘贴，要无气泡，均匀。有条件上真空贴膜机，没条件用辊子来实现。 2. 柔性材料的缓慢揭开，这是手艺活，柔性材料面积要远大于SiC衬底。可以用气体不断吹扫揭开的缝隙，这样可以减少对金属膜的伤害。 3. 柔性材料和金属膜分离。这取决于柔性材料的性质。这个柔性材料可以是压敏的紫外脱落薄膜，也可以是热发泡薄膜。前者用紫外光照就可以脱落，后者加热即可脱落。你可以咨询一下苏州锐材半导体找这些材料。这样可以保证你的金属膜可以无损的脱离。 4. 模具的涂敷。在模具表面涂敷足够均匀的胶，要看模具的形状似什么样的。可以用旋转匀胶，可以用喷涂，可以用辊子，都可以。 5. 金属膜的贴附。因为存在胶的不均匀，所以应当在真空下，用非常光滑的表面去压金属膜，使得金属膜下的胶尽量的平整。这个我们叫热压键合。可以参考苏州美图半导体的键合设备。 还有方法是把溅射好的SiC和模具通过热压键合直接键合在一起。然后把SiC充分减薄至um水平，然后用激光将SiC和金属膜分离。 事实上，上面这个方法更适合硅材料，因为硅片同样具有很好的表面，roughness也可以做到非常低，这样在减薄之后，就可以直接用腐蚀的方法把Si去掉，良率更高，成本更低。 |
2楼2014-09-22 16:17:01
yinhuoxuan
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4楼2016-01-17 21:32:49
40