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cixindegu金虫 (小有名气)
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[求助]
禁带宽度与晶格缺陷的关系？ 已有1人参与
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请问存在晶格缺陷是否会降低其禁带宽度呢？ 有没有相关文献报道这个呢？ 期待各位的回答~非常感谢~ |
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cixindegu
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3楼2014-09-17 09:54:06
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| 严格意义上是不会，但是由于缺陷的存在，在导带底部或者价带顶部会存在缺陷能级，另外晶格缺陷的存在会使原子失配导致相互之间的键合力降低，相对来说原子更加活跃以及增加其跃迁的可能性，即原子活化。其实是相当于使禁带宽度变窄，比如绝缘体半导化。至于文献没有，一般这个都懂的，无机物理性能书上有一些讲解，这些是我个人经验的归类。 |
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2楼2014-09-16 20:58:30
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我也只是略懂，大神不敢当；你是怎么算的呢？这个也不能绝对的说明，因为禁带宽度不单单是晶格缺陷影响，这样说吧；首先你要明确晶格缺陷的类型，比如点缺陷，如果是掺杂后造成了晶格膨胀或者温度升高原子间距增大也会减小禁带宽度的。那么如果是固溶体呢？ 或者同位等价取代什么的，本身晶格不变形，但是物质变化了，禁带宽度也会变化。所以你最好先确认一下元素组成，比如XRD，荧光分析什么的，采用取代的一些规则去比较，这样在文章中就可以说“掺杂造成了畸变影响禁带宽度”，如果是线缺陷，位错什么的，可以做一下电镜，一般有台阶什么的或者背散射，确定有其他物质生成。至于本征缺陷的话，这个就很难确定了！暂时就知道这么多！ |
4楼2014-09-17 21:19:30
