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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » SOI 的顶层硅的薄化问题
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破卷天涯

银虫 (著名写手)

[求助] SOI 的顶层硅的薄化问题 已有1人参与

问各位虫友：

      1. 利用横向生长技术制备出来的 SOI ，其顶层的 Si 可以最多薄化到多少 ？ 能不能减薄到 50n 一下 ？

     2. 目前 SOI 制备用了好多复杂困难不易操作的技术，如注氧隔离，smart-cut等等，他们为什么不用横向生长呢？

     不必详细，只求大概！

   
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1楼 2014-08-29 17:36:27
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破卷天涯

银虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-09-06 01:23:03
首先是成本，生长的成本很高，薄膜厚度有限制。
其次是质量，再结晶后没有办法保证顶层硅的单晶质量。

不好意思，我感觉你的回复没有解决我的问题，首先没有解决第一个问题，其次，在第二个问题中提到的三种方法，成本都很高，你说的那个成本、质量究竟是在说那种方法呢？
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3楼2014-09-06 14:26:08
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
破卷天涯: 金币+10, ★有帮助 2014-09-06 14:24:08
首先是成本，生长的成本很高，薄膜厚度有限制。
其次是质量，再结晶后没有办法保证顶层硅的单晶质量。
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2楼2014-09-06 01:23:03
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-09-06 14:26:08
不好意思，我感觉你的回复没有解决我的问题，首先没有解决第一个问题，其次，在第二个问题中提到的三种方法，成本都很高，你说的那个成本、质量究竟是在说那种方法呢？...

我回答的实际上市第二个问题。第一个问题我也不知道答案，但从原理上讲，是不可能到那么薄的，因为现在的减薄工艺不支持。
成本肯定是横向生长的高。首先工艺流程复杂，外延时间长，还要减薄。外延的硅质量本身就不是很好，肯定不如直拉单晶，而且籽晶窗口又造成它不是全面积是SOI，所以市面上就没人用横向生长的SOI。
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4楼2014-09-12 11:42:21
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