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破卷天涯

银虫 (著名写手)

[求助] SOI 的顶层硅的薄化问题 已有1人参与

问各位虫友:

      1. 利用横向生长技术制备出来的 SOI ,其顶层的 Si 可以最多薄化到多少 ? 能不能减薄到 50n 一下 ?

     2. 目前 SOI 制备用了好多复杂困难不易操作的技术,如注氧隔离,smart-cut等等,他们为什么不用横向生长呢?

     不必详细,只求大概!

   
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破卷天涯

银虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-09-06 01:23:03
首先是成本,生长的成本很高,薄膜厚度有限制。
其次是质量,再结晶后没有办法保证顶层硅的单晶质量。

不好意思,我感觉你的回复没有解决我的问题,首先没有解决第一个问题,其次,在第二个问题中提到的三种方法,成本都很高,你说的那个成本、质量究竟是在说那种方法呢?
3楼2014-09-06 14:26:08
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
破卷天涯: 金币+10, ★有帮助 2014-09-06 14:24:08
首先是成本,生长的成本很高,薄膜厚度有限制。
其次是质量,再结晶后没有办法保证顶层硅的单晶质量。
2楼2014-09-06 01:23:03
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-09-06 14:26:08
不好意思,我感觉你的回复没有解决我的问题,首先没有解决第一个问题,其次,在第二个问题中提到的三种方法,成本都很高,你说的那个成本、质量究竟是在说那种方法呢?...

我回答的实际上市第二个问题。第一个问题我也不知道答案,但从原理上讲,是不可能到那么薄的,因为现在的减薄工艺不支持。
成本肯定是横向生长的高。首先工艺流程复杂,外延时间长,还要减薄。外延的硅质量本身就不是很好,肯定不如直拉单晶,而且籽晶窗口又造成它不是全面积是SOI,所以市面上就没人用横向生长的SOI。
4楼2014-09-12 11:42:21
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