| 查看: 1021 | 回复: 3 | |||
[求助]
SOI 的顶层硅的薄化问题 已有1人参与
|
|
问各位虫友： 1. 利用横向生长技术制备出来的 SOI ，其顶层的 Si 可以最多薄化到多少 ？ 能不能减薄到 50n 一下 ？ 2. 目前 SOI 制备用了好多复杂困难不易操作的技术，如注氧隔离，smart-cut等等，他们为什么不用横向生长呢？ 不必详细，只求大概！  |
回复此楼» 猜你喜欢
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有284人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
2楼2014-09-06 01:23:03
3楼2014-09-06 14:26:08
yswyx
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
4楼2014-09-12 11:42:21
28