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uy34567890

铁虫 (初入文坛)

[求助] 有关UV-Visible测量带隙

小弟用两种方法测带隙  一种是用吸收度(Y)对波长(X)作图画切线切到x轴   然后用1240去除
                                     另一种是测出反射率   带入的Kubelka-Munk的函数    一样画切线得出带隙
但两种算法会有误差想问哪种会比较准?
拜托各位大神了
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wwyygg0520

新虫 (文坛精英)

头大不怕雨淋

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
uy34567890: 金币+15, ★★★很有帮助 2014-08-16 13:26:18
还是用能量做横坐标比较好一些
2楼2014-08-13 23:14:47
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cluster8676

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
uy34567890: 金币+15, ★★★★★最佳答案 2014-08-18 00:54:56
我们一般用tauc plot,你看看这个

http://en.wikipedia.org/wiki/Tauc_plot
学无止境
6楼2014-08-18 00:00:08
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sheihk

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

一般用第二种的比较多,而且通过第二种方法还可以印证半导体的跃迁类型。
第一种也有用的,并不影响发高IF论文其实。
8楼2014-08-18 00:56:51
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cluster8676

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
uy34567890: 金币+20, ★★★★★最佳答案 2014-08-18 13:25:00
引用回帖:
9楼: Originally posted by uy34567890 at 2014-08-17 05:01:10
像这样的图 我该对哪边画切线?
PS 这理论应该是1.51eV

222.png
...

肯定是左边做切线。你可以试试把3.0 以后的数据截掉。看看能不能看到比较明显的位置可以做切线。
学无止境
10楼2014-08-18 10:20:30
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普通回帖

uy34567890

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wwyygg0520 at 2014-08-13 23:14:47
还是用能量做横坐标比较好一些

所以是用Kubelka-Munk函数的會比較準?
還是指做吸收度對能量作圖?
3楼2014-08-15 16:02:29
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wwyygg0520

新虫 (文坛精英)

头大不怕雨淋

前者我不清楚。
与用波长做横坐标单位相比,还是用eV做横坐标更好一些。
4楼2014-08-15 21:34:52
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ming142007

铁杆木虫 (职业作家)

化学百科

【答案】应助回帖

应该都是第二种吧,我没看过第一种的好像。
况且想想都是第二种吧,要不然弄个函数干嘛呢,呵呵。有函数就是有理论。
5楼2014-08-17 09:30:23
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uy34567890

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by cluster8676 at 2014-08-18 00:00:08
我们一般用tauc plot,你看看这个

http://en.wikipedia.org/wiki/Tauc_plot

所以假如是直接跃迁就拿abs乘上hv在平方,然后对E作图,画切线?
7楼2014-08-18 00:54:44
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uy34567890

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by cluster8676 at 2014-08-18 00:00:08
我们一般用tauc plot,你看看这个

http://en.wikipedia.org/wiki/Tauc_plot

像这样的图 我该对哪边画切线?
PS 这理论应该是1.51eV
有关UV-Visible测量带隙
222.png

9楼2014-08-18 01:01:10
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