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CVD法合成碳纳米管薄膜
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qhl635408756
新虫
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专业: 半导体材料
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CVD法合成碳纳米管薄膜
已有5人参与
先用磁控溅射在蓝宝石基底上溅射了一层Ni。
然后放入管式炉CVD中,Ar为保护气体,流量120sccm。
先在500摄氏度还原40min,氢气流量为10sccm。
然后升到800摄氏度生长,甲烷流量10sccm,Ar120sccm,氢气10sccm,生长一个小时。
都是常压下进行的。
请问各位高手,为什么蓝宝石基底上没有碳纳米管生成呢?
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1楼
2014-08-06 08:46:30
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翔弟
银虫
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注册: 2013-10-20
专业: 电化学
【答案】应助回帖
引用回帖:
7楼
:
Originally posted by
qhl635408756
at 2014-08-07 07:58:37
应该是1到3nm。
是在蓝宝石上做碳纳米管薄膜,镀缓冲层会不会影响透过率?
用的是科晶的真真空CVD生长系统。...
能说一下你的工艺步骤么?
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9楼
2014-08-07 14:23:12
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zzkejing
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(正式写手)
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qhl635408756: 金币+5,
★
有帮助
2014-08-06 14:23:42
本帖内容被屏蔽
2楼
2014-08-06 13:48:49
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qhl635408756
新虫
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虫号: 2555756
注册: 2013-07-20
专业: 半导体材料
引用回帖:
2楼
:
Originally posted by
zzkejing
at 2014-08-06 13:48:49
你的实验布局是怎么得来的呢 我很少听说过蓝宝石衬底做碳纳米线哦 可能是我见识的少吧
看文献的呀。您也是做碳纳米管的吗?
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3楼
2014-08-06 14:23:29
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wulishi8
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专业: 凝聚态物性 II :电子结构
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【答案】应助回帖
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qhl635408756: 金币+10,
★★★
很有帮助
2014-08-07 07:56:44
1.Ni的厚度非常重要,1到2nm;
2.需要镀镍之前弄一层氧化铝或者氧化镁薄膜,20nm左右的厚度;
3.氢气还原温度太低,可以直接调整到生长温度。
PS:蓝宝石基底不便宜啊,硅片就可以了。
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中山大学材料学院招聘博士后和专职研究员,年薪20万起,请站内联系,谢谢。
4楼
2014-08-06 16:03:31
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