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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

[求助] 在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV,充放电,阻抗的几个具体问题!! 已有1人参与

各位前辈好:赝电容分析有几个问题,请大家帮忙,谢谢~~

关于CV曲线(具体请见图片):
1.我的结果里面CV曲线中电流I的氧化峰值小于还原峰值,请问是什么原因呢,式样是否需要重新测定呢?(参考文献里面I还原小于I氧化)
2.算氧化还原电位差值选高扫速还是低扫速好呢?
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆,文献是说小于58/n mv就可逆,我的氧化还原反应电子转移数是1,那就应该是小于58 mv. 但是我取最高氧化峰和最高还原峰对应的电位的差值(1mv/s是0.17V, 50mv/s是0.41V左右),算起来就是170mv或者410 mv,是我试样有问题吗?
4.氧化还原电位差值越小越好,为什么呢?
5. 关于起始点,论文里面都是从0V开始的,但是我的式样找氧化还原区间测CV曲线有的从-1V开始而且未闭合,可以这样测吗,或者是测定之后可以人为的平移到0为起点并且闭合曲线吗?

关于充放电:
1. 充放电曲线的最高值有什么意义呢,是不是越高越好呢?
2. 放电时间>充电时间,正常吗?

关于阻抗谱:
1.阻抗谱由一个半圆和一条直线组成。文献里面说半圆的起点(X轴上)表示电解质里面的内阻,我的式样在同一个电解中测量的,但是起点有差距有点大,是不是因为式样连接线设置的时候影响那个起点值呢?作图的时候我可以人为的把起点统一吗?

第一次接触到电化学分析,请各位前辈帮忙解答,感激涕零~~~~~祝各位一切安好~~~

在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV,充放电,阻抗的几个具体问题!!
그림1.jpg
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by s2810091 at 2014-07-24 16:01:14
首先不知道mm电极的大概制作方法和材料,个人感觉你做的应该是金属氧化物或者双金属氧化物的超电容,看看文献用的是什么参比,不同的参比所选取的电位是不一样的,感觉你的电位好像选的有一点大了,稍微大了一点点哈 ...

非常感谢,帮助太大了
4楼2014-07-24 17:08:35
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s2810091

禁虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-07-24 16:58:06
本帖内容被屏蔽

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

3楼2014-07-24 16:01:14
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by lukeshanda at 2014-07-25 09:22:49
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆,试样没问题,只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好,可逆性好
5. 氧化还原区间测 ...

谢谢您,我的EIS有一定规律的,就是起点不一样,其实起点不是我想分析的重点,我想比较和分析的是半圆的直径值,你这样说我就放心了,我再看看数据,没有必要的话就不平移了~~
8楼2014-07-25 10:39:54
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普通回帖

hyt365dn

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-07-24 16:58:17
CV
1、可逆性问题吧 相等比较难做到
2、低扫速下
3、这是理论上的,实际上因为有溶液阻抗的扰动,很少有符合58/n的
4、就是因为58/n 根据这个公式,电位差只可能越来越小,不可能大于58mV的,所以越小越好

CP
2、正常
2楼2014-07-24 15:45:17
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by hyt365dn at 2014-07-24 15:45:17
CV
1、可逆性问题吧 相等比较难做到
2、低扫速下
3、这是理论上的,实际上因为有溶液阻抗的扰动,很少有符合58/n的
4、就是因为58/n 根据这个公式,电位差只可能越来越小,不可能大于58mV的,所以越小越好

C ...

谢谢您的帮助~~~
5楼2014-07-24 17:09:04
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s2810091

禁虫 (正式写手)

本帖内容被屏蔽

6楼2014-07-25 00:40:28
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lukeshanda

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-07-25 10:37:41
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆,试样没问题,只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好,可逆性好
5. 氧化还原区间测CV曲线有的从-1V开始而且未闭合,可以 正常,不可以 测定之后可以人为的平移到0为起点 闭合曲线(可以不闭合)
GCD
放电时间>充电时间,正常,好多文献有类似现象
EIS
作图的时候可以把起点统一,但也可以挑选出一些符合“规律”的图谱
加油
7楼2014-07-25 09:22:49
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by s2810091 at 2014-07-25 00:40:28
有时候实验又不确定因素在里面,遇到特殊情况还是要多重复几次,如果确实是那样子再寻找原因。 电化学的影响因素太多了,实验要保持高度的一致性,很多时候同一个人做的实验过一段就重复不出来了,挺奇怪
祝你好运 ...

恩,我也觉得测试的时候太敏感了,有时候同一个式样测试两遍出来的结果都不一样,谢谢您的帮助~~~
9楼2014-07-25 10:41:33
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by lukeshanda at 2014-07-25 09:22:49
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆,试样没问题,只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好,可逆性好
5. 氧化还原区间测 ...

对了还有一个问题请请教您一下,EIS半圆后面紧接着一条直线,那条直线越接近垂直性能越好吗?越垂直代表离子的扩散速度越快对吗?
10楼2014-07-25 10:48:33
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