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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV，充放电，阻抗的几个具体问题！！
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)

[求助] 在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV，充放电，阻抗的几个具体问题！！ 已有1人参与

各位前辈好：赝电容分析有几个问题，请大家帮忙，谢谢~~

关于CV曲线（具体请见图片）：
1.我的结果里面CV曲线中电流I的氧化峰值小于还原峰值，请问是什么原因呢，式样是否需要重新测定呢？（参考文献里面I还原小于I氧化）
2.算氧化还原电位差值选高扫速还是低扫速好呢？
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆，文献是说小于58/n mv就可逆，我的氧化还原反应电子转移数是1，那就应该是小于58 mv. 但是我取最高氧化峰和最高还原峰对应的电位的差值（1mv/s是0.17V, 50mv/s是0.41V左右），算起来就是170mv或者410 mv，是我试样有问题吗？
4.氧化还原电位差值越小越好，为什么呢？
5. 关于起始点，论文里面都是从0V开始的，但是我的式样找氧化还原区间测CV曲线有的从-1V开始而且未闭合，可以这样测吗，或者是测定之后可以人为的平移到0为起点并且闭合曲线吗？

关于充放电：
1. 充放电曲线的最高值有什么意义呢，是不是越高越好呢？
2. 放电时间>充电时间，正常吗？

关于阻抗谱：
1．阻抗谱由一个半圆和一条直线组成。文献里面说半圆的起点（X轴上）表示电解质里面的内阻，我的式样在同一个电解中测量的，但是起点有差距有点大，是不是因为式样连接线设置的时候影响那个起点值呢？作图的时候我可以人为的把起点统一吗？

第一次接触到电化学分析，请各位前辈帮忙解答，感激涕零~~~~~祝各位一切安好~~~

在小木虫上帖子中泡了好久还未解决~~~关于赝电容CV，充放电，阻抗的几个具体问题！！
그림1.jpg
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1楼 2014-07-24 10:56:00
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

shmilyztfxx

木虫 (著名写手)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by s2810091 at 2014-07-24 16:01:14
首先不知道mm电极的大概制作方法和材料，个人感觉你做的应该是金属氧化物或者双金属氧化物的超电容，看看文献用的是什么参比，不同的参比所选取的电位是不一样的，感觉你的电位好像选的有一点大了，稍微大了一点点哈 ...

非常感谢，帮助太大了
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4楼2014-07-24 17:08:35
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s2810091

禁虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-07-24 16:58:06
本帖内容被屏蔽

» 本帖已获得的红花（最新10朵）

shmilyztfxx
3楼2014-07-24 16:01:14
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by lukeshanda at 2014-07-25 09:22:49
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆，试样没问题，只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好，可逆性好
5. 氧化还原区间测 ...

谢谢您，我的EIS有一定规律的，就是起点不一样，其实起点不是我想分析的重点，我想比较和分析的是半圆的直径值，你这样说我就放心了，我再看看数据，没有必要的话就不平移了~~
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8楼2014-07-25 10:39:54
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普通回帖

hyt365dn

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+5, ★★★很有帮助 2014-07-24 16:58:17
CV
1、可逆性问题吧 相等比较难做到
2、低扫速下
3、这是理论上的，实际上因为有溶液阻抗的扰动，很少有符合58/n的
4、就是因为58/n 根据这个公式，电位差只可能越来越小，不可能大于58mV的，所以越小越好

CP
2、正常
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2楼2014-07-24 15:45:17
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by hyt365dn at 2014-07-24 15:45:17
CV
1、可逆性问题吧 相等比较难做到
2、低扫速下
3、这是理论上的，实际上因为有溶液阻抗的扰动，很少有符合58/n的
4、就是因为58/n 根据这个公式，电位差只可能越来越小，不可能大于58mV的，所以越小越好

C ...

谢谢您的帮助~~~
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5楼2014-07-24 17:09:04
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s2810091

禁虫 (正式写手)
本帖内容被屏蔽
6楼2014-07-25 00:40:28
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lukeshanda

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
shmilyztfxx: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-07-25 10:37:41
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆，试样没问题，只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好，可逆性好
5. 氧化还原区间测CV曲线有的从-1V开始而且未闭合，可以 正常，不可以 测定之后可以人为的平移到0为起点 闭合曲线（可以不闭合）
GCD
放电时间>充电时间，正常，好多文献有类似现象
EIS
作图的时候可以把起点统一，但也可以挑选出一些符合“规律”的图谱
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加油
7楼2014-07-25 09:22:49
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by s2810091 at 2014-07-25 00:40:28
有时候实验又不确定因素在里面，遇到特殊情况还是要多重复几次，如果确实是那样子再寻找原因。 电化学的影响因素太多了，实验要保持高度的一致性，很多时候同一个人做的实验过一段就重复不出来了，挺奇怪
祝你好运 ...

恩，我也觉得测试的时候太敏感了，有时候同一个式样测试两遍出来的结果都不一样，谢谢您的帮助~~~
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9楼2014-07-25 10:41:33
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shmilyztfxx

木虫 (著名写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by lukeshanda at 2014-07-25 09:22:49
CV
2.算氧化还原电位差值低扫速
3.氧化还原电位差判断反应是否可逆，试样没问题，只要你不是纯搞电化学动力学研究 其他无所谓 你说的那些 都是理想情况
4.氧化还原电位差值越小越好，可逆性好
5. 氧化还原区间测 ...

对了还有一个问题请请教您一下，EIS半圆后面紧接着一条直线，那条直线越接近垂直性能越好吗？越垂直代表离子的扩散速度越快对吗？
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10楼2014-07-25 10:48:33
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