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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] ICP刻蚀草地 已有2人参与

请问各位高手,为什么利用ICP刻蚀SiO2后沟槽里全是草状结构,我查了下资料说是长草效应,请问这种效应主要跟哪个刻蚀参数有关系。我用CF3,Ar和O2气三种气体刻蚀SiO2,我现在正调节刻蚀参数来消除这种草地效应,但不知道最关键因素是什么,望高人指点。万分感激

ICP刻蚀草地
图像 1.png
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静静一yi

捐助贵宾 (著名写手)

静静

【答案】应助回帖

我有刻蚀讲义,发你一份?
15501697107
2楼2014-07-24 09:49:10
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400


【答案】应助回帖

CHF3即可,是不是把Si也刻蚀了
3楼2014-07-24 18:56:39
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400


我有个问题是你怎么得到这样的SEM图片,是把样品掰断了照的吗还是用什么方法
4楼2014-07-24 18:57:36
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