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gezi_shan银虫 (初入文坛)
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[求助]
求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法 已有2人参与
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各位大侠，本人现在正在做氧化亚铜/氧化锌的薄膜太阳能电池，但是课题组之前没有人做过，所以碰到了很大的困难。 想在以下方面请教以下： 1. 磁控法沉积两层薄膜，在薄膜的界面会不会产生很明显的原子扩散，会不会对形成PN结产生影响？ 2.高温生长或高温退火对界面的影响 3.电池的组装工艺，如怎么避免电池短路，怎么把电极引出等。 我先在碰到的问题是，合成的器件测IV曲线直接是一条直线，根本没有整流效应，更别说光伏效应。 在论坛上搜索，发现我做的这玩意几乎没人做，所以请教各位如有相近课题的，如CIGS太阳能电池也能不吝赐教！ |
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gezi_shan
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3楼2014-07-16 20:12:29
caoxiafei
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
gezi_shan: 金币+20, ★★★很有帮助, 太详细了 希望能进一步交流 2014-07-17 22:23:44
感谢参与，应助指数 +1
gezi_shan: 金币+20, ★★★很有帮助, 太详细了 希望能进一步交流 2014-07-17 22:23:44
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1、首先,优化溅射工艺，确定Cu2O的导电类型：P型，P型载流子浓度10^15~10^17之间，迁移率越大越好，方块电阻尽量小（也不要太强求，因为前两项已基本确定了电池方阻） （1）注意本底气压的影响； （2）Ar气流量的影响； （3）退火温度的影响； （4）O2/Ar比的影响； （5）溅射功率的影响； （6）溅射方式的影响RF与DC的不同； （7）有些文献会进行掺杂，Cl，属于反应溅射的范畴，当然Cu2O也可以通过反应溅射制备； 2、PN结结构方面建议：N-->P依此为 FTO或AZO/i-ZnO/Cu2O，高阻i-ZnO可以提高电池的旁路电阻Rsh。 3、电池的制备路线（1），干净的FTO衬底-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->Sputter-i-ZnO(50~150nm,可通O气调阻值)-->Sputter-AZO(200~500nm,30~50方块电阻)-->丝网印刷或热蒸发金属珊线-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极； 4、电池制备路线（2），干净的FTO衬底-->sputter-i-ZnO-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->溅射金或铂电极-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极； |
4楼2014-07-17 13:53:13
