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gezi_shan

银虫 (初入文坛)

[求助] 求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法 已有2人参与

各位大侠,本人现在正在做氧化亚铜/氧化锌的薄膜太阳能电池,但是课题组之前没有人做过,所以碰到了很大的困难。
想在以下方面请教以下:
1. 磁控法沉积两层薄膜,在薄膜的界面会不会产生很明显的原子扩散,会不会对形成PN结产生影响?
2.高温生长或高温退火对界面的影响
3.电池的组装工艺,如怎么避免电池短路,怎么把电极引出等。

我先在碰到的问题是,合成的器件测IV曲线直接是一条直线,根本没有整流效应,更别说光伏效应。
在论坛上搜索,发现我做的这玩意几乎没人做,所以请教各位如有相近课题的,如CIGS太阳能电池也能不吝赐教!
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甲子湖

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
你是哪里的,我知道有个学校的老师在做。
2楼2014-07-16 14:55:38
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 甲子湖 at 2014-07-16 14:55:38
你是哪里的,我知道有个学校的老师在做。

浙大的
3楼2014-07-16 20:12:29
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
gezi_shan: 金币+20, ★★★很有帮助, 太详细了 希望能进一步交流 2014-07-17 22:23:44
1、首先,优化溅射工艺,确定Cu2O的导电类型:P型,P型载流子浓度10^15~10^17之间,迁移率越大越好,方块电阻尽量小(也不要太强求,因为前两项已基本确定了电池方阻)
(1)注意本底气压的影响;
(2)Ar气流量的影响;
(3)退火温度的影响;
(4)O2/Ar比的影响;
(5)溅射功率的影响;
(6)溅射方式的影响RF与DC的不同;
(7)有些文献会进行掺杂,Cl,属于反应溅射的范畴,当然Cu2O也可以通过反应溅射制备;
2、PN结结构方面建议:N-->P依此为 FTO或AZO/i-ZnO/Cu2O,高阻i-ZnO可以提高电池的旁路电阻Rsh。
3、电池的制备路线(1),干净的FTO衬底-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->Sputter-i-ZnO(50~150nm,可通O气调阻值)-->Sputter-AZO(200~500nm,30~50方块电阻)-->丝网印刷或热蒸发金属珊线-->刻划分片(单个电池为1*1cm或其他尺寸)-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极;
4、电池制备路线(2),干净的FTO衬底-->sputter-i-ZnO-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->溅射金或铂电极-->刻划分片(单个电池为1*1cm或其他尺寸)-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极;
4楼2014-07-17 13:53:13
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-17 13:53:13
1、首先,优化溅射工艺,确定Cu2O的导电类型:P型,P型载流子浓度10^15~10^17之间,迁移率越大越好,方块电阻尽量小(也不要太强求,因为前两项已基本确定了电池方阻)
(1)注意本底气压的影响;
(2)Ar气流量的 ...

哇  回复太仔细了!!!非常感谢
电池结构上  有点问题: 路线(1)中FTO可以和p型   氧化亚铜  直接接触吗?
(2)中 为什么不需要AZO层
5楼2014-07-17 22:36:00
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

引用回帖:
5楼: Originally posted by gezi_shan at 2014-07-17 22:36:00
哇  回复太仔细了!!!非常感谢
电池结构上  有点问题: 路线(1)中FTO可以和p型   氧化亚铜  直接接触吗?
(2)中 为什么不需要AZO层...

路线1,FTO可以与Cu2O直接接触,前提是保证很好的欧姆接触,我觉得这方面是没有太大问题的
路线2,FTO直接替代了AZO作为窗口层,i-ZnO作为阻挡层与缓冲层,
6楼2014-07-18 12:38:26
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-18 12:38:26
路线1,FTO可以与Cu2O直接接触,前提是保证很好的欧姆接触,我觉得这方面是没有太大问题的
路线2,FTO直接替代了AZO作为窗口层,i-ZnO作为阻挡层与缓冲层,...

文献上都是使用Au 作为 Cu2O 的电极的,一个p型的材料 直接和n型的导电膜接触的话可以吗?
另外我这边现在都是用的ITO的片子,FTO和ITO差别大不大,我看到有些人说,ITO中的In比较容易扩散。
7楼2014-07-18 14:19:13
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

引用回帖:
7楼: Originally posted by gezi_shan at 2014-07-18 14:19:13
文献上都是使用Au 作为 Cu2O 的电极的,一个p型的材料 直接和n型的导电膜接触的话可以吗?
另外我这边现在都是用的ITO的片子,FTO和ITO差别大不大,我看到有些人说,ITO中的In比较容易扩散。...

ITO与FTO电阻温度系数不同,ITO在300度以上加热时,方阻会变得很大
8楼2014-07-19 09:26:16
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α-碳

木虫 (著名写手)


引用回帖:
8楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-19 09:26:16
ITO与FTO电阻温度系数不同,ITO在300度以上加热时,方阻会变得很大...

楼主好厉害,不明觉厉....
9楼2014-08-28 13:42:42
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