应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法
91/1返回列表
查看: 1568  |  回复: 8
只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

gezi_shan

银虫 (初入文坛)

[求助] 求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法已有2人参与

各位大侠，本人现在正在做氧化亚铜/氧化锌的薄膜太阳能电池，但是课题组之前没有人做过，所以碰到了很大的困难。
想在以下方面请教以下：
1. 磁控法沉积两层薄膜，在薄膜的界面会不会产生很明显的原子扩散，会不会对形成PN结产生影响？
2.高温生长或高温退火对界面的影响
3.电池的组装工艺，如怎么避免电池短路，怎么把电极引出等。

我先在碰到的问题是，合成的器件测IV曲线直接是一条直线，根本没有整流效应，更别说光伏效应。
在论坛上搜索，发现我做的这玩意几乎没人做，所以请教各位如有相近课题的，如CIGS太阳能电池也能不吝赐教！
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

有用知识

» 猜你喜欢
1楼2014-07-16 10:22:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

甲子湖

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你是哪里的，我知道有个学校的老师在做。
赞一下 回复此楼
2楼2014-07-16 14:55:38
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gezi_shan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 甲子湖 at 2014-07-16 14:55:38
你是哪里的，我知道有个学校的老师在做。

浙大的
回复此楼
3楼2014-07-16 20:12:29
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
gezi_shan: 金币+20, ★★★很有帮助, 太详细了 希望能进一步交流 2014-07-17 22:23:44
1、首先,优化溅射工艺，确定Cu2O的导电类型：P型，P型载流子浓度10^15~10^17之间，迁移率越大越好，方块电阻尽量小（也不要太强求，因为前两项已基本确定了电池方阻）
（1）注意本底气压的影响；
（2）Ar气流量的影响；
（3）退火温度的影响；
（4）O2/Ar比的影响；
（5）溅射功率的影响；
（6）溅射方式的影响RF与DC的不同；
（7）有些文献会进行掺杂，Cl，属于反应溅射的范畴，当然Cu2O也可以通过反应溅射制备；
2、PN结结构方面建议：N-->P依此为 FTO或AZO/i-ZnO/Cu2O，高阻i-ZnO可以提高电池的旁路电阻Rsh。
3、电池的制备路线（1），干净的FTO衬底-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->Sputter-i-ZnO(50~150nm,可通O气调阻值)-->Sputter-AZO(200~500nm,30~50方块电阻)-->丝网印刷或热蒸发金属珊线-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极；
4、电池制备路线（2），干净的FTO衬底-->sputter-i-ZnO-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->溅射金或铂电极-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极；
赞一下(3人) 回复此楼
4楼2014-07-17 13:53:13
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gezi_shan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-17 13:53:13
1、首先,优化溅射工艺，确定Cu2O的导电类型：P型，P型载流子浓度10^15~10^17之间，迁移率越大越好，方块电阻尽量小（也不要太强求，因为前两项已基本确定了电池方阻）
（1）注意本底气压的影响；
（2）Ar气流量的 ...

哇  回复太仔细了！！！非常感谢
电池结构上  有点问题： 路线（1）中FTO可以和p型   氧化亚铜  直接接触吗？
（2）中 为什么不需要AZO层
赞一下 回复此楼
5楼2014-07-17 22:36:00
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池
引用回帖:
5楼: Originally posted by gezi_shan at 2014-07-17 22:36:00
哇  回复太仔细了！！！非常感谢
电池结构上  有点问题： 路线（1）中FTO可以和p型   氧化亚铜  直接接触吗？
（2）中 为什么不需要AZO层...

路线1，FTO可以与Cu2O直接接触，前提是保证很好的欧姆接触，我觉得这方面是没有太大问题的
路线2，FTO直接替代了AZO作为窗口层，i-ZnO作为阻挡层与缓冲层，
赞一下 回复此楼
6楼2014-07-18 12:38:26
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gezi_shan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-18 12:38:26
路线1，FTO可以与Cu2O直接接触，前提是保证很好的欧姆接触，我觉得这方面是没有太大问题的
路线2，FTO直接替代了AZO作为窗口层，i-ZnO作为阻挡层与缓冲层，...

文献上都是使用Au 作为 Cu2O 的电极的，一个p型的材料 直接和n型的导电膜接触的话可以吗？
另外我这边现在都是用的ITO的片子，FTO和ITO差别大不大，我看到有些人说，ITO中的In比较容易扩散。
赞一下 回复此楼
7楼2014-07-18 14:19:13
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池
引用回帖:
7楼: Originally posted by gezi_shan at 2014-07-18 14:19:13
文献上都是使用Au 作为 Cu2O 的电极的，一个p型的材料 直接和n型的导电膜接触的话可以吗？
另外我这边现在都是用的ITO的片子，FTO和ITO差别大不大，我看到有些人说，ITO中的In比较容易扩散。...

ITO与FTO电阻温度系数不同，ITO在300度以上加热时，方阻会变得很大
赞一下 回复此楼
8楼2014-07-19 09:26:16
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

α-碳

木虫 (著名写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-19 09:26:16
ITO与FTO电阻温度系数不同，ITO在300度以上加热时，方阻会变得很大...

楼主好厉害，不明觉厉....
赞一下 回复此楼
9楼2014-08-28 13:42:42
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 gezi_shan 的主题更新
91/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭