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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)

[求助] 求助~~~氧化亚铜 薄膜太阳能电池 的制备 磁控法已有2人参与

各位大侠，本人现在正在做氧化亚铜/氧化锌的薄膜太阳能电池，但是课题组之前没有人做过，所以碰到了很大的困难。
想在以下方面请教以下：
1. 磁控法沉积两层薄膜，在薄膜的界面会不会产生很明显的原子扩散，会不会对形成PN结产生影响？
2.高温生长或高温退火对界面的影响
3.电池的组装工艺，如怎么避免电池短路，怎么把电极引出等。

我先在碰到的问题是，合成的器件测IV曲线直接是一条直线，根本没有整流效应，更别说光伏效应。
在论坛上搜索，发现我做的这玩意几乎没人做，所以请教各位如有相近课题的，如CIGS太阳能电池也能不吝赐教！
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1楼2014-07-16 10:22:07
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 甲子湖 at 2014-07-16 14:55:38
你是哪里的，我知道有个学校的老师在做。

浙大的
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3楼2014-07-16 20:12:29
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甲子湖

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你是哪里的，我知道有个学校的老师在做。
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2楼2014-07-16 14:55:38
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
gezi_shan: 金币+20, ★★★很有帮助, 太详细了 希望能进一步交流 2014-07-17 22:23:44
1、首先,优化溅射工艺，确定Cu2O的导电类型：P型，P型载流子浓度10^15~10^17之间，迁移率越大越好，方块电阻尽量小（也不要太强求，因为前两项已基本确定了电池方阻）
（1）注意本底气压的影响；
（2）Ar气流量的影响；
（3）退火温度的影响；
（4）O2/Ar比的影响；
（5）溅射功率的影响；
（6）溅射方式的影响RF与DC的不同；
（7）有些文献会进行掺杂，Cl，属于反应溅射的范畴，当然Cu2O也可以通过反应溅射制备；
2、PN结结构方面建议：N-->P依此为 FTO或AZO/i-ZnO/Cu2O，高阻i-ZnO可以提高电池的旁路电阻Rsh。
3、电池的制备路线（1），干净的FTO衬底-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->Sputter-i-ZnO(50~150nm,可通O气调阻值)-->Sputter-AZO(200~500nm,30~50方块电阻)-->丝网印刷或热蒸发金属珊线-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极；
4、电池制备路线（2），干净的FTO衬底-->sputter-i-ZnO-->Sputter-Cu2O(步骤1最佳工艺)-->溅射金或铂电极-->刻划分片（单个电池为1*1cm或其他尺寸）-->选择某个小区域腐蚀出FTO电极；
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4楼2014-07-17 13:53:13
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gezi_shan

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-07-17 13:53:13
1、首先,优化溅射工艺，确定Cu2O的导电类型：P型，P型载流子浓度10^15~10^17之间，迁移率越大越好，方块电阻尽量小（也不要太强求，因为前两项已基本确定了电池方阻）
（1）注意本底气压的影响；
（2）Ar气流量的 ...

哇  回复太仔细了！！！非常感谢
电池结构上  有点问题： 路线（1）中FTO可以和p型   氧化亚铜  直接接触吗？
（2）中 为什么不需要AZO层
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5楼2014-07-17 22:36:00
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