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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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mengsk1102

新虫 (初入文坛)

[交流] 如何出去二氧化硅内部和表面的SI-OH键 已有1人参与

请教各位如何出去二氧化硅内部和表面的SI-OH键。应该在多少温度多少压力下煅烧才能除去？大概能除去多少
另外如果SI-OH键缩合变成SI-O-SI，那是否和二氧化硅中的SI-O-SI相同，是否会影响二氧化硅的熔点等物理性质
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1楼 2014-07-11 21:32:00
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mengsk1102

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by musheng at 2014-07-13 17:24:20
工业上采用真空脱羟，不同的工艺脱羟效果不同，脱到5ppm应该没问题

谢谢啊
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3楼2014-07-13 22:10:34
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musheng

铜虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
xiaoxususy: 金币+1, 谢谢参与 2014-07-14 19:18:56
工业上采用真空脱羟，不同的工艺脱羟效果不同，脱到5ppm应该没问题
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2楼2014-07-13 17:24:20
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