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mengsk1102

新虫 (初入文坛)

[交流] 如何出去二氧化硅内部和表面的SI-OH键已有1人参与

请教各位如何出去二氧化硅内部和表面的SI-OH键。应该在多少温度多少压力下煅烧才能除去?大概能除去多少
另外如果SI-OH键缩合变成SI-O-SI,那是否和二氧化硅中的SI-O-SI相同,是否会影响二氧化硅的熔点等物理性质
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musheng

铜虫 (小有名气)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
xiaoxususy: 金币+1, 谢谢参与 2014-07-14 19:18:56
工业上采用真空脱羟,不同的工艺脱羟效果不同,脱到5ppm应该没问题
2楼2014-07-13 17:24:20
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mengsk1102

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by musheng at 2014-07-13 17:24:20
工业上采用真空脱羟,不同的工艺脱羟效果不同,脱到5ppm应该没问题

谢谢啊
3楼2014-07-13 22:10:34
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